[发明专利]具有输出限制的低噪声放大器

权利要求书

1.一种具有可控下游电路保护的射频通信系统，所述射频通信系统包括：

低噪声放大器，被配置为放大射频输入信号以产生射频输出信号；和

下游电路，被配置为接收来自低噪声放大器的射频输出信号，

其中低噪声放大器包括可控输出限制器，被配置为以可控量的输出限制来限制来自低噪声放大器的射频输出信号，并且

其中所述可控输出限制器包括一个或多个二极管，被配置为对所述射频输出信号提供整流。

2.根据权利要求1所述的射频通信系统，其中所述可控输出限制器被配置为通过引线键合选择性激活或失活。

3.根据权利要求1所述的射频通信系统，其中所述可控输出限制器被配置为通过开关选择性激活或失活。

4.根据权利要求1所述的射频通信系统，其中所述可控输出限制器包括两个或更多个可选输出限制部分，从而提供不同量的输出限制。

5.根据权利要求1所述的射频通信系统，其中所述可控输出限制器包括具有可控电阻的至少一个电阻器，其中输出限制的量基于由所述可控电阻提供的电阻。

6.根据权利要求1所述的射频通信系统，其中输出限制的量是基于DC输入电压的电压电平可控的。

7.根据权利要求1所述的射频通信系统，其中所述一个或多个二极管中的至少一个二极管由连接起来作为肖特基二极管工作的高电子迁移率晶体管HEMT来实现。

8.根据权利要求1所述的射频通信系统，还包括氮化镓GaN管芯，其中低噪声放大器在氮化镓GaN管芯上制造。

9.根据权利要求8所述的射频通信系统，还包括下游管芯，在所述下游管芯上制造下游电路，其中所述下游管芯包括硅Si管芯或砷化镓GaAs管芯。

10.一种具有输出限制的氮化镓GaN管芯，其中所述氮化镓GaN管芯包括：

输入引脚，被配置为接收低噪声放大器输入信号；

输出引脚，被配置为提供低噪声放大器输出信号；

氮化镓GaN放大电路，被配置为放大所述低噪声放大器输入信号以产生低噪声放大器输出信号；和

输出限制器，被配置为向低噪声放大器输出信号提供输出限制，从而限制所述输出引脚处的信号功率，所述输出限制器包括一个或多个二极管，被配置为对所述低噪声放大器输出信号提供整流。

11.根据权利要求10所述的氮化镓GaN管芯，还包括控制引脚，其中所述输出限制器被配置为在所述控制引脚处存在引线键合的情况下选择性激活或失活。

12.根据权利要求10所述的氮化镓GaN管芯，其中所述输出限制器包括开关，所述开关被配置为使所述输出限制器选择性激活或失活。

13.根据权利要求10所述的氮化镓GaN管芯，其中所述输出限制器包括两个或更多个可选输出限制部分，从而提供不同量的输出限制。

14.根据权利要求10所述的氮化镓GaN管芯，其中所述输出限制器包括具有可控电阻的至少一个电阻器，其中由所述输出限制器提供的输出限制的量基于由所述可控电阻提供的电阻。

15.根据权利要求10所述的氮化镓GaN管芯，其中所述一个或多个二极管中的至少一个二极管由连接起来作为肖特基二极管工作的高电子迁移率晶体管(HEMT)来实现。

16.根据权利要求10所述的氮化镓GaN管芯，其中所述氮化镓GaN放大电路包括级联的第一放大级和第二放大级，其中所述氮化镓GaN管芯还包括在所述第一放大级的输入处的输入限制器或在所述第一放大的输出处的级间限制器中的至少一种。