[发明专利]一种高介电各向异性的液晶组合物以及高频组件

权利要求书

1.一种高介电各向异性的液晶组合物，其特征在于，所述高介电各向异性的液晶组合物包括质量分数为1～15％的组分A、质量分数为40～92％的组分B、质量分数为5～25％的组分C和质量分数为1～40％的组分D，其中：

所述组分A为具有如下结构式(Ⅰ)所示结构的化合物中的至少一种：

所述组分B为具有如下结构式(Ⅱ)所示结构的化合物中的至少一种：

所述组分C为具有如下结构式(Ⅲ)所示结构的化合物中的至少一种：

所述组分D为具有如下结构式(Ⅳ)所示结构的化合物中的至少一种：

其中，R₁和L₃各自独立地选自C_nH_2n+1、O-C_nH_2n+1或CH₂＝CH-(CH₂)_Z，L₅为O-C_nH_2n+1，L₁为C_nH_2n+1，R₂和L₄各自独立地选自C_mH_2m+1、O-C_mH_2m+1或(CH₂)_Z-CH＝CH₂，L₂为C_mH_2m+1，L₆为-NCS，且n和m各自独立地选自1～6 范围内的任一整数，z为1～4范围内的任一整数；X₁、X₂、X₃、X₄、X₅、X₆、X₇、X₈、X₉、X₁₀、X₁₁和X₁₂各自独立地选自H原子或F原子；Y₁为F原子。

2.如权利要求1所述的高介电各向异性的液晶组合物，其特征在于，R₁和L₃各自独立地选自C_nH_2n+1或CH₂＝CH-(CH₂)_Z，R₂和L₄各自独立地选自C_mH_2m+1或(CH₂)_Z-CH＝CH₂，且n和m各自独立地选自2～6范围内的任一整数，z为2～4范围内的任一整数。

3.如权利要求2所述的高介电各向异性的液晶组合物，其特征在于，R₁、L₃、R₂和L₄各自独立地选自2～6个碳原子的烷基。

4.如权利要求3所述的高介电各向异性的液晶组合物，其特征在于，所述组分A选自具有以下结构式(Ⅰ-1)至结构式(Ⅰ-6)所示结构的化合物中的至少一种：

5.如权利要求3所述的高介电各向异性的液晶组合物，其特征在于，所述组分C选自具有以下结构式(Ⅲ-1)所示结构的化合物中的至少一种：

6.如权利要求1至5任意一项所述的高介电各向异性的液晶组合物，其特征在于，所述组分A、组分B、组分C和组分D的双折射率均为0.30～0.42。

7.一种高频组件，其特征在于，所述高频组件包括如权利要求1至6任意一项所述的高介电各向异性的液晶组合物。

8.如权利要求7所述的高频组件，其特征在于，所述高频组件为微波移相器或微波阵列天线。