[发明专利]应用于近红外波段的盖革模式InGaAs/InP雪崩二极管

权利要求书

1.一种盖革模式InGaAs/InP雪崩二极管，包括InP基底及其上的外延结构，其特征在于，

所述外延结构包括吸收层以及吸收层之上的开启层，所述开启层和吸收层材料均为In_xGa_1-xAs，x介于0.52至0.55之间，且均包含有掺杂材料Si，且开启层的Si掺杂密度大于吸收层的Si掺杂密度。

2.根据权利要求1所述的盖革模式InGaAs/InP雪崩二极管，其特征在于，所述开启层材料为In_xGa_1-xAs，x介于0.52至0.55之间，其中掺杂材料Si的掺杂密度为(6～7)E16cm^-3。

3.根据权利要求1所述的盖革模式InGaAs/InP雪崩二极管，其特征在于，所述开启层的厚度为50-300nm。

4.根据权利要求1所述的盖革模式InGaAs/InP雪崩二极管，其特征在于，所述吸收层材料为In_xGa_1-xAs，x介于0.52至0.55之间，并掺杂有材料Si，掺杂密度小于5×10^-15cm^-3。

5.根据权利要求1所述的盖革模式InGaAs/InP雪崩二极管，其特征在于，还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述基底和吸收层之间，缓冲层材料为InP，厚度为1～2um。

6.根据权利要求1所述的盖革模式InGaAs/InP雪崩二极管，其特征在于，还包括渐变层，所述渐变层位于开启层之上，包括至少四层结构，各层结构的厚度介于10nm至15nm。

7.根据权利要求6所述的盖革模式InGaAs/InP雪崩二极管，其特征在于，所述渐变层从上至下各层材料依次为In_0.906Ga_0.094As_0.2P_0.8,In_0.812Ga_0.188As_0.4P_0.6,In₇₁₈Ga_0.282As_0.6P_0.4,以及In_0.634Ga_0.376As_0.8P_0.2。

8.根据权利要求6所述的盖革模式InGaAs/InP雪崩二极管，其特征在于，还包括电荷层，所述电荷层位于渐变层之上，主体材料为InP，并掺杂Si材料。

9.根据权利要求8所述的盖革模式InGaAs/InP雪崩二极管，其特征在于，所述电荷层中掺杂Si材料的掺杂密度为掺杂密度(6～7)E16cm^-3，电荷层厚度为0.2～0.4μm。

10.根据权利要求8所述的盖革模式InGaAs/InP雪崩二极管，其特征在于，还包括位于所述电荷层之上的P-InP层和雪崩层，所述雪崩层通过P-InP层向下进行锌扩散后形成，所述P-InP层厚度为2-2.2μm，所述雪崩层厚度为1.0-1.3μm。