[发明专利]一种DMF插层-剥离钠基蒙脱石超薄纳米片及其制备方法有效
| 申请号： | 201910090329.4 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN109650400B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 严春杰;潘玉凤;宋怀兵;周森;刘意;周云飞 | 申请（专利权）人： | 中国地质大学（武汉） |
| 主分类号： | C01B33/44 | 分类号： | C01B33/44;C01B33/40;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562 | 代理人： | 王颖 |
| 地址： | 430000 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 dmf 剥离 钠基蒙脱石 超薄 纳米 及其 制备 方法 | ||
1.一种DMF插层-剥离钠基蒙脱石超薄纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，称取钙基蒙脱石分散在乙醇和水的混合溶液中，配制成钙基蒙脱石悬浮液；
S2，向所述钙基蒙脱石悬浮液中加入无水碳酸钠，球磨3h后老化，得到固液混合物；
S3，对所述固液混合物进行离心分离，得到固体物，洗涤、干燥，即得到钠基蒙脱石；
S4，将所述钠基蒙脱石分散在N,N-二甲基甲酰胺中，磁力搅拌的同时进行超声振荡，使钠基蒙脱石均匀分散在N,N-二甲基甲酰胺中，即得到平均厚度为1-2nm的DMF插层-剥离钠基蒙脱石超薄纳米片；其中，超声波振荡仪的温度设置为20℃，并且采用物理降温的方式保证水浴温度在25℃以下；钠基蒙脱石与N,N-二甲基甲酰胺的固液比为1.0-2.5g/100mL。
2.根据权利要求1所述的DMF插层-剥离钠基蒙脱石超薄纳米片的制备方法，其特征在于，步骤S1中，乙醇和水的混合溶液中，乙醇和水的体积比为1:9，配制的钙基蒙脱石悬浮液的固液质量比为5％：95％。
3.根据权利要求1所述的DMF插层-剥离钠基蒙脱石超薄纳米片的制备方法，其特征在于，步骤S2中，加入的无水碳酸钠的质量为钙基蒙脱石质量的5％，老化的时间为24h。
4.根据权利要求1所述的DMF插层-剥离钠基蒙脱石超薄纳米片的制备方法，其特征在于，步骤S3中，离心分离的转速为4000r/min，干燥的温度为105℃，干燥的时间为4h。
5.根据权利要求1所述的DMF插层-剥离钠基蒙脱石超薄纳米片的制备方法，其特征在于，步骤S4中，钠基蒙脱石与N,N-二甲基甲酰胺的固液比为1.5g/100mL。
6.一种DMF插层-剥离钠基蒙脱石超薄纳米片，其特征在于，由权利要求1-5任一项所述的制备方法制得。
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