[发明专利]基板修补方法及电子装置有效
申请号: | 201910090462.X | 申请日: | 2019-01-30 |
公开(公告)号: | CN111508968B | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
发明(设计)人: | 王名铨;蔡尚晏;张维航 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 修补 方法 电子 装置 | ||
1.一种电子装置,其特征在于,包含:
一基板;
一金属图案层,设置于该基板上,且该金属图案层包含不连续的一第一金属线段及一第二金属线段,其中,该第一金属线段及该第二金属线段中的至少一个具有一通孔,且在一剖视方向上,该通孔将该第一金属线段及该第二金属线段中的至少一个分为两个部分;以及
一第一导体层,通过该通孔与该第一金属线段及该第二金属线段中的一个电性连接;
其中,该第一导体层具有一凸起,该凸起位于该通孔外侧,
其中,该通孔的底部在垂直于该基板的法线方向具有一宽度,在与该通孔距离该宽度的一第一区域之间,该第一导体层的顶表面至该基板的表面的最大高度为一第一高度,在与该第一区域距离该宽度的第二区域之间,该第一导体层的顶表面至该基板的表面的最大高度为一第二高度,其中,该第一区域位于该第二区域与该通孔之间,且该第一高度大于该第二高度。
2.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,在俯视方向上,该第一导体层的该凸起于该通孔外侧具有一环型结构。
3.一种电子装置,其特征在于,包含:
一基板;
一金属图案层,设置于该基板上,且该金属图案层包含不连续的一第一金属线段及一第二金属线段,其中,该第一金属线段及该第二金属线段中的至少一个具有一通孔,且在一剖视方向上,该通孔将该第一金属线段及该第二金属线段中的至少一个分为两个部分;
一第一导体层,具有一凸起,该凸起位于该通孔外侧,且该凸起自该第一导体层朝向该基板的法线方向突出;
一第二导体层,至少部分该第二导体层设置于该通孔中,且在该通孔外侧,该第一导体层设置于该第二导体层下方;以及
一第三导体层,设置于该第二导体层上,且至少部分该第三导体层设置于该通孔中;
其中,该第二导体层与该第一金属线段或该第二金属线段电性连接。
4.如权利要求3所述的电子装置,其特征在于,该第二导体层与一基板表面接触。
5.如权利要求3所述的电子装置,其特征在于,于俯视方向上,该第三导体层具有至少两种不同的宽度。
6.如权利要求3所述的电子装置,其特征在于,该第三导体层的阻抗值小于该第二导体层的阻抗值。
7.如权利要求3所述的电子装置,其特征在于,于俯视方向上,该第一导体层具有至少两种不同的宽度。
8.一种基板修补的方法,其特征在于,包含:
提供一基板,其上方设置有一金属图案层;
找到该金属图案层中不连续的一第一金属线段及一第二金属线段;
形成一第一导体层,其中,在该基板的法线方向上,至少部分该第一导体层与该第一金属线段及该第二金属线段部分重叠;
以激光照射与该第一导体层重叠的该第一金属线段及该第二金属线段中的至少一个,以于该第一金属线段及该第二金属线段中的至少一个中形成至少一通孔;且在一剖视方向上,该通孔将该第一金属线段及该第二金属线段中的至少一个分为两个部分;
形成一第二导体层,至少部分该第二导体层设置于该通孔中且该第二导体层与该第一金属线段或该第二金属线段电性连接;以及
形成一第三导体层于该第二导体层上,且至少部分该第三导体层设置于该通孔中,
其中,该第一导体层具有一凸起,该凸起位于该通孔外侧,且该凸起自该第一导体层朝向该基板的法线方向突出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的