[发明专利]封装基板制造工艺、封装基板以及晶圆封装结构

说明书

本发明公开了封装基板制造工艺、封装基板以及晶圆封装结构，其中，封装基板制造工艺通过将第一导电片、绝缘件以及第二导电片进行层叠压合形成母材，绝缘件上设置有用于容纳凸台的收容腔，通过对第一导电片、绝缘件和第二导电片进行加工形成引线、以及与引线一端连接的第一接线凸起和与引线另一端连接的第二接线凸起，并通过去除凸台以露出收容腔。这样，通过该封装基板制造工艺可以一次性成型具有封装线路和供晶圆嵌入封装的收容腔的封装基板，工艺简单，成本低，可实大批量制作，生产效率高，而且采用该封装基板制造工艺制成的封装基板，晶圆可以嵌入封装，使得产品整体厚度较为较薄，能够满足市场需求。

技术领域

本发明涉及晶圆封装领域，尤其涉及一种封装基板制造工艺、一种封装基板以及一种采用该封装基板的晶圆封装结构。

背景技术

现有集成电路封装基板均为平面结构，晶圆封装时，晶圆是直接贴附在封装基板的表面，随着产品往精细化和轻薄化发展，现有晶圆的封装结构使得产品整体较厚，不能满足市场的需求。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明的目的之一公开一种封装基板制造工艺，用以解决现有的现有晶圆的封装结构使得产品整体较厚，不能满足市场需求的问题。本发明的目的之二公开一种封装基板。本发明的目的之三公开一种晶圆封装结构，该晶圆封装结构采用上述的封装基板。

本发明的目的之一采用如下技术方案实现：

一种封装基板制造工艺，用于制造供晶圆封装的封装基板，所述封装基板制造工艺包括：

将一侧具有凸台的第一导电片和一侧具有收容腔的绝缘件以所述凸台与所述收容腔相对的方式进行层叠压合，并使所述凸台收容于所述收容腔中，将所述第二导电片层叠压合于所述绝缘件之远离所述第一导电片的一侧，制得母材；

在所述母材之对应所述收容腔的边缘制作穿孔，所述穿孔依次贯穿所述第二导电片和所述绝缘件，在所述穿孔中填充导电材料以形成用于连接所述第一导电片与所述第二导电片的引线；

对所述第二导电片进行加工以制作出环绕于所述引线一端外周的第一接线凸起，对所述第一导电片位于所述收容腔旁侧的部分进行加工以形成与所述引线另一端连接的第二接线凸起，除去所述凸台，制得封装基板半成品；

对所述封装基板半成品进行切割，制得封装基板。

作为一种改进方式，所述第一导电片由以下工序制作成型：

提供导电基片，在所述导电基片的侧面贴设第一感光膜，对应晶圆封装的位置对所述第一感光膜进行曝光显影以形成电镀避让孔；

透过所述电镀避让孔在所述导电基片上电镀铜层，电镀铜层之后，除去所述第一感光膜，制得所述第一导电片；

其中，所述铜层形成所述凸台。

作为一种改进方式，

所述导电基片为铜片；且/或，

所述第二导电片为铜片。

作为一种改进方式，

所述导电基片的厚度为12-35um；且/或，

所述第二导电片的厚度为12-35um。

作为一种改进方式，所述第一导电片和所述绝缘件的层叠压合方式为：将所述第一导电片和具有通孔的第一绝缘片以所述凸台与所述通孔相对的方式进行层叠压合，并使所述凸台收容于所述通孔中；将第二绝缘片层叠压合于所述第一绝缘片之远离所述第一导电片的一侧；

其中，所述第一绝缘片和所述第二绝缘片构成所述绝缘件，所述通孔和所述第二绝缘片围合形成所述收容腔。

作为一种改进方式，所述第一绝缘片的厚度等于所述凸台的厚度；且/或，