[发明专利]封装基板制造工艺、封装基板以及芯片封装结构

权利要求书

1.一种封装基板制造工艺，用于制造供芯片封装的封装基板，其特征在于，所述封装基板制造工艺包括：

将一侧具有导电凸起的第一导电片和一侧具有收容腔的绝缘件以所述导电凸起与所述收容腔相对的方式进行层叠压合，并使所述导电凸起收容于所述收容腔中，将第二导电片层叠压合于所述绝缘件之远离所述第一导电片的一侧，制得母材；

在所述母材上之对应所述收容腔的位置制作穿孔，所述穿孔依次贯穿所述第二导电片和所述绝缘件，在所述穿孔中填充导电材料以形成用于连接所述导电凸起与所述第二导电片的引线；

对所述第二导电片进行加工以制作出环绕于所述引线一端外周的接线凸起；

对所述第一导电片进行加工以除去所述第一导电片位于所述收容腔外的部分，对所述导电凸起进行加工以形成至少两个间隔设置于所述收容腔底面的导电凸块，两个所述导电凸块和所述收容腔底面围合形成用于供芯片安装的安装槽，制得封装基板半成品；

对所述封装基板半成品进行切割，制得封装基板；

其中，所述第一导电片和所述绝缘件的层叠压合方式为：将所述第一导电片和具有通孔的第一绝缘片以所述导电凸起与所述通孔相对的方式进行层叠压合，并使所述导电凸起收容于所述通孔中；将第二绝缘片层叠压合于所述第一绝缘片之远离所述第一导电片的一侧；其中，所述第一绝缘片和所述第二绝缘片构成所述绝缘件，所述通孔和所述第二绝缘片围合形成所述收容腔。

2.根据权利要求1所述的封装基板制造工艺，其特征在于，所述第一导电片由以下工序制作成型：

提供导电基片，在所述导电基片的侧面贴设第一感光膜，对应芯片封装的位置对所述第一感光膜进行曝光显影以形成电镀避让孔；

透过所述电镀避让孔在所述导电基片上电镀镍层；在所述镍层之远离所述导电基片的一侧电镀铜层，电镀铜层之后，除去所述第一感光膜；

在所述镍层和所述铜层的外表面包裹第二感光膜，在所述第二感光膜的四周对所述导电基片蚀刻出环形凹槽，且除去第二感光膜；

其中，所述导电基片具有位于所述环形凹槽内侧的凸台，所述凸台、所述镍层以及所述铜层组合形成所述导电凸起。

3.根据权利要求2所述的封装基板制造工艺，其特征在于，所述导电凸块的制作方式为：通过蚀刻除去所述第一导电片位于所述收容腔外的部分以及所述凸台；除去所述镍层并对所述铜层进行加工以形成所述导电凸块。

4.根据权利要求2所述的封装基板制造工艺，其特征在于，

所述镍层的厚度为2-8um；且/或，

所述铜层的厚度为10-30um；且/或，

所述第二导电片的厚度为12-35um。

5.根据权利要求1所述的封装基板制造工艺，其特征在于，所述第一绝缘片的厚度等于所述导电凸起的厚度；且/或，

所述第一绝缘片为半固化聚丙烯片或半固化环氧树脂片或半固化BT树脂片；且/或，

所述第二绝缘片为半固化聚丙烯片或半固化环氧树脂片或半固化BT树脂片。

6.根据权利要求1所述的封装基板制造工艺，其特征在于，所述接线凸起的制作方式为：在所述第二导电片之远离所述第一导电片的一侧覆盖第三感光膜，根据接线凸起的预设位置对所述第三感光膜进行曝光形成干膜，除去所述第三感光膜未曝光的部分以使第二导电片具有露出的外露部分，对所述外露部分进行蚀刻后除去所述干膜并对剩余的第二导电片加工以形成所述接线凸起。

7.根据权利要求1-6任一项所述的封装基板制造工艺，其特征在于，

所述第一导电片为铜片；且/或，

所述第二导电片为铜片。