[发明专利]一种芯片级全固态SiC超级电容器的制备方法

权利要求书

1.一种芯片级全固态SiC超级电容器的制备方法，其特征在于，所述的方法包括如下步骤：

将SiC晶片先进行清洗、浸泡、干燥处理，再经阳极氧化刻蚀、剥离后得SiC纳米阵列薄膜；

将SiC纳米阵列薄膜浸入固态电解质中，取出后直接压合得超级电容器；所述压合具体为：选取两片浸过电解质的SiC纳米阵列薄膜，将有形貌的面相对压合，再擦除背面粘附的电解质；

所述刻蚀处理的时间为10-15min，剥离处理的时间为1-15s；

所述SiC纳米阵列薄膜的形貌为长纳米线；所述长纳米线的直径为18-22nm。

2.根据权利要求1所述的芯片级全固态SiC超级电容器的制备方法，其特征在于，所述固态电解质的厚度为7-9μm。

3.根据权利要求1所述的芯片级全固态SiC超级电容器的制备方法，其特征在于，所述电解质的成分包括KCl、聚乙烯醇，其中KCl与聚乙烯醇的质量比为1.8-2.2:1。

4.根据权利要求1-3任一所述的芯片级全固态SiC超级电容器的制备方法，其特征在于，所述电解质的制备具体为：将KCl先溶解于去离子水中，加热至80-90℃并搅拌，同时缓慢加入聚乙烯醇，继续搅拌至溶液澄清。

5.根据权利要求1所述的芯片级全固态SiC超级电容器的制备方法，其特征在于，电极的厚度为15-17μm，超级电容器的厚度为37-43μm。