[发明专利]可精准控制二维材料发光强度和峰位的发光器件在审
| 申请号： | 201910092280.6 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN109698260A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 汤乃云;杨正茂 | 申请（专利权）人： | 上海电力学院 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/26;H01L33/34;H01L33/44 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 刘燕武 |
| 地址： | 200090 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二维材料 硅薄膜 峰位 二氧化硅介质层 生长 发光器件 金属电极 精准控制 衬底 器件制作 光源 制备 隔离 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种可精准控制二维材料发光强度和峰位的发光器件，其特征在于，包括衬底、生长在衬底上的二氧化硅介质层，以及生长在二氧化硅介质层且相互隔离的三块硅薄膜，所述三块硅薄膜中的其中两块上分别生长一个金属电极，另一块与其中一块生长有金属电极的硅薄膜之间设置有一层二维材料。
2.根据权利要求1所述的一种可精准控制二维材料发光强度和峰位的发光器件，其特征在于，所述衬底为硅衬底，其厚度为500μm。
3.根据权利要求1所述的一种可精准控制二维材料发光强度和峰位的发光器件，其特征在于，所述二氧化硅介质层的厚度为10-200nm。
4.根据权利要求1所述的一种可精准控制二维材料发光强度和峰位的发光器件，其特征在于，所述金属电极的材料为金、银、铬、铝或钛，其厚度为10-200nm。
5.根据权利要求1所述的一种可精准控制二维材料发光强度和峰位的发光器件，其特征在于，所述二维材料为单层二碲化钼，厚度不超过2nm。
6.根据权利要求1所述的一种可精准控制二维材料发光强度和峰位的发光器件，其特征在于，所述硅薄膜的厚度为10-100nm。
7.根据权利要求1所述的一种可精准控制二维材料发光强度和峰位的发光器件，其特征在于，生长有金属电极的两块硅薄膜之间的间距为1-10μm。
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