[发明专利]一种有机单晶微型器件制备方法

权利要求书

1.一种有机单晶微型器件制备方法，其特征在于，包括：

制作包含电极图形的柔性掩版，将所述柔性掩版转移至目标单晶样品上；在所述目标单晶样品上蒸镀金属电极，并剥离所述柔性掩版。

2.根据权利要求1所述的有机单晶微型器件制备方法，其特征在于，制作包含电极图形的柔性掩版，具体包括：

将光刻胶或聚甲基丙烯酸甲酯PMMA胶旋涂在衬底上，在所述衬底上形成一层光刻胶薄膜或PMMA薄膜；

通过光刻方法在所述光刻胶薄膜上制备出目标单晶样品所需要的电极图形，或通过电子束曝光方法在所述PMMA薄膜上制备出目标单晶样品所需要的电极图形。

3.根据权利要求2所述的有机单晶微型器件制备方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底，所述硅衬底表面附有至少100nm厚的SiO₂或者Al₂O₃。

4.根据权利要求2所述的有机单晶微型器件制备方法，其特征在于，将光刻胶或聚甲基丙烯酸甲酯PMMA胶旋涂在衬底上，具体包括：

在所述衬底上旋涂光刻胶或PMMA胶，通过旋涂仪以500～800rpm转速旋涂第一预设时间后，以3000～4000rpm转速继续旋涂第二预设时间，并在160～240℃环境下烘烤3～5min。

5.根据权利要求2所述的有机单晶微型器件制备方法，其特征在于，制作包含电极图形的柔性掩版后，还包括：

在所述光刻胶薄膜或PMMA薄膜上曝光出电极图形，并进行显影处理，得到镂空的光刻胶薄膜或PMMA薄膜。

6.根据权利要求2所述的有机单晶微型器件制备方法，其特征在于，制备出目标单晶样品所需要的电极图形后，还包括：

将所述衬底放入1mol/L的NaOH溶液中，恒温60℃直至光刻胶薄膜或PMMA薄膜与衬底脱落；

将脱落后的光刻胶薄膜或PMMA薄膜放置超纯水中浸泡30～50min，晾干。

7.根据权利要求2所述的有机单晶微型器件制备方法，其特征在于，将所述柔性掩版转移至目标单晶样品上，具体包括：

将晾干后的光刻胶薄膜或PMMA薄膜作为柔性掩版，在显微镜辅助定位下，通过位移台转移至目标单晶样品上。

8.根据权利要求2所述的有机单晶微型器件制备方法，其特征在于，并剥离所述柔性掩版，具体包括：

在所述目标单晶样品上蒸镀完金属电极图形后，将所述光刻胶薄膜或PMMA薄膜与所述目标单晶样品机械分离。