[发明专利]一种应用于RFID系统的新型低功耗放大器有效
| 申请号： | 201910092767.4 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN109861655B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 赵思棋;刘明 | 申请（专利权）人： | 上海磐启微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/193 | 分类号： | H03F3/193;H03F3/45;H03F3/68 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 郑立 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新区中国（上海）自由*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 rfid 系统 新型 功耗 放大器 | ||
1.一种应用于RFID系统的新型低功耗放大器，其特征在于，包括输入级、中间级和输出级；其中，所述输入级由第一MOS管、第二MOS管和第一恒流源构成差分放大电路；所述中间级包括共模反馈模块、放大管模块和恒流源负载模块；所述输出级包括第一电容、第二电容和一个负载电阻；所述第一MOS管的漏极与所述第二MOS管的漏极分别与所述放大管模块电连接；所述中间级的共模反馈模块包括第三MOS管、第四MOS管和第二恒流源；所述第三MOS管的源极与所述第四MOS管的源极电连接；所述放大管模块包括第五MOS管和第六MOS管；所述第五MOS管与所述第六MOS管的栅极相互连接，并接到偏置电压VBIAS6；所述第五MOS管的源极与所述第三MOS管的漏极电连接；所述第六MOS管的源极与所述第四MOS管的漏极电连接；所述第五MOS管和所述第六MOS管的源极作为信号输入端，接收来自于输入级的信号；所述中间级的恒流源负载模块包括第七MOS管和第八MOS管；所述第七MOS管的漏极与所述第五MOS管的漏极电连接；所述第八MOS管的漏极与所述第六MOS管的漏极电连接；所述第一电容的第一端与所述第四MOS管的栅极电连接，所述第一电容的第二端接地；所述第二电容的第一端与所述第六MOS管的漏极电连接，所述第二电容的第二端接地；放大器电路的工作电流为纳安级。
2.如权利要求1所述的一种应用于RFID系统的新型低功耗放大器，其特征在于，所述输入级的第一MOS管的源极与所述第二MOS管的源极电连接，所述第一恒流源的第一端与所述第一MOS管的源极电连接，所述第一恒流源的第二端接地。
3.如权利要求1所述的一种应用于RFID系统的新型低功耗放大器，其特征在于，所述第二恒流源的第一端与所述第三MOS管的源极电连接，所述第二恒流源的第二端接地。
4.如权利要求1所述的一种应用于RFID系统的新型低功耗放大器，其特征在于，所述中间级的第三MOS管的栅极接偏置电压VBIAS1。
5.如权利要求1所述的一种应用于RFID系统的新型低功耗放大器，其特征在于，所述第七MOS管与所述第八MOS管的源极均连接到电源；所述第七MOS管与所述第八MOS管的栅极相互连接，并连接到所述第七MOS管的漏极；所述第七MOS管与所述第八MOS管构成一个镜像恒流源，作为放大器电路的有源负载。
6.如权利要求1所述的一种应用于RFID系统的新型低功耗放大器，其特征在于，所述输出级的第一电容的第二端接地，所述输出级的第二电容的第二端接地，所述第一电容与所述第二电容对输出信号起到带通滤波的作用。
7.如权利要求1所述的一种应用于RFID系统的新型低功耗放大器，其特征在于，所述输出级的负载电阻的第一端与所述放大管模块的第六MOS管的源极电连接；所述负载电阻的第二端与所述共模反馈模块的第四MOS管的栅极电连接。
8.如权利要求1所述的一种应用于RFID系统的新型低功耗放大器，其特征在于，所述放大器的小信号分析模型存在一个零点z0和两个极点p0和p1。
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