[发明专利]MOS抗脉冲电流测试电路在审
申请号: | 201910093087.4 | 申请日: | 2019-01-30 |
公开(公告)号: | CN109856523A | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | 范东东 | 申请(专利权)人: | 无锡台翔电子技术发展有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 曹祖良 |
地址: | 214194 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 控制电路模块 测试电路模块 脉冲电流测试 测试 驱动电路 电路 低电平 输出端 电源电路模块 脉冲保护电路 输入端连接 测试设备 脉冲性能 外围电路 栅极连接 单片机 有效地 烧毁 驱动 输出 | ||
1.一种MOS抗脉冲电流测试电路,其特征在于,所述MOS抗脉冲电流测试电路包括:
电源电路模块(100),所述电源电路模块(100)分别与MOS测试电路模块(200)和控制电路模块(300)连接;
MOS测试电路模块(200),所述MOS测试电路模块(200)包括测试MOS管V4,所述测试MOS管V4的栅极连接测试MOS管栅极驱动电路(210)的输出端,所述测试MOS管栅极驱动电路(210)的输入端连接控制电路模块(300)的低电平输出端C-,所述控制电路模块(300)的低电平输出端C-输出的低电平能够使得所述测试MOS管栅极驱动电路(210)驱动打开所述测试MOS管V4;所述测试MOS管V4的漏极连接第十三电阻R13的一端,所述测试MOS管V4的源极接地;所述第十三电阻R13的另一端连接抗脉冲保护电路(220)的输出端
控制电路模块(300),所述控制电路模块(300)包括单片机U3及其外围电路。
2.如权利要求1所述的MOS抗脉冲电流测试电路,其特征在于,
所述抗脉冲保护电路(220)包括并联的第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3,且所述第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3并联的源极为所述抗脉冲保护电路(220)的输出端;所述第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3的栅极共同连接保护MOS管栅极驱动电路(230)的输出端。
3.如权利要求2所述的MOS抗脉冲电流测试电路,其特征在于,所述测试MOS管栅极驱动电路(210)包括:第九电阻R9,第十一电阻R11,第十五电阻R15,第十六电阻R16,第十九电阻R19,第三三极管Q3,第五三极管Q5,第六三极管Q6;
所述第九电阻R9的一端连接15v电源和第三三极管Q3的发射极,所述第三三极管Q3的集电极连接第十一电阻R11的一端,所述第十一电阻R11的另一端连接第十九电阻R19的一端,所述第十九电阻R19的另一端为所述驱动电路的输出端,用于连接所述测试MOS管的栅极。所述第九电阻R9的另一端和第三三极管Q3的基极分别连接第五三极管Q5的集电极,所述第五三极管Q5的基极连接5v电源,第五三极管Q5的发射极连接所述控制电路模块(300)的低电平输出端C-以及第十六电阻R16的一端,所述第十六电阻R16的另一端连接第六三极管Q6的基极,所述第六三极管Q6的集电极连接在第十一电阻R11和第十九电阻R19之间,第六三极管Q6的发射极接地。
4.如权利要求1所述的MOS抗脉冲电流测试电路,其特征在于,所述测试MOS管栅极驱动电路(210)包括:第九电阻R9,第十一电阻R11,第十五电阻R15,第十六电阻R16,第十九电阻R19,第三三极管Q3,第五三极管Q5,第六三极管Q6;
所述第九电阻R9的一端连接15v电源和第三三极管Q3的发射极,所述第三三极管Q3的集电极连接第十一电阻R11的一端,所述第十一电阻R11的另一端连接第十九电阻R19的一端,所述第十九电阻R19的另一端为所述驱动电路的输出端,用于连接所述测试MOS管的栅极。所述第九电阻R9的另一端和第三三极管Q3的基极分别连接第五三极管Q5的集电极,所述第五三极管Q5的基极连接5v电源,第五三极管Q5的发射极连接所述控制电路模块(300)的低电平输出端C-以及第十六电阻R16的一端,所述第十六电阻R16的另一端连接第六三极管Q6的基极,所述第六三极管Q6的集电极连接在第十一电阻R11和第十九电阻R19之间,第六三极管Q6的发射极接地。
5.如权利要求1所述的MOS抗脉冲电流测试电路,其特征在于,所述电源电路模块(100)包括电源集成芯片U1和电源调整芯片U2及其外围电路,所述外围电路包括第一电阻R1,第一电容C1,第二电容C2,第三电容C3,第四电容C4,第五电容C5,第六电容C6,第一二极管D1,第二二极管D2,第五二极管D5;所述第一电容C1的正极分别连接电源集成芯片U1的输出端DRAIN端和第一电阻R1,并且所述第一电容C1的正极输出电源给第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3的漏极,所述第一电容C1的负极接地,第一电阻R1的另一端连接第一二极管D1的输入端,第一二极管D1的负极接地;所述电源集成芯片U1的电源输出端VCC分别连接第二二极管D2的输出端和第二电容C2的正极,所述第二电容C2的负极连接第一电感L1的一端和电源集成芯片U1的接地端GND,第一电感L1的第一端连接第二二极管D2的输入端;电源调整芯片U2的输入端分别连接第三电容C3的正极和第四电容C4的一端,所述第三电容C3的负极和第四电容C4的另一端连接第五二极管D5的输入端,所述第五二极管D5的输出端连接电源集成芯片U1的接地端GND,所述电源调整芯片U2的输出端连接第五电容C5的正极和第六电容C6的一端,所述第五电容C5的负极和第六电容C6的另一端连接电源调整芯片U2的接地端。
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