[发明专利]缺陷检查装置及缺陷检查方法

说明书

实施方式提供一种能够在半导体制造的缺陷检查中缩短检查时间的缺陷检查装置及缺陷检查方法。实施方式的缺陷检查装置具备获取部、剪辑部、第1赋予部、匹配部及核对部。获取部获取表示在晶圆上展开的图案的电子信息。剪辑部将设计数据所示的图形中与电子信息对应的部分进行剪辑而获得设计信息。第1赋予部对电子信息所示的各图案赋予第1编号，且对设计信息所示的各图案赋予第2编号。匹配部创建表示第1编号与第2编号的对应关系的关系信息。核对部基于关系信息及与设计信息所示的各图案对应的节点信息，核对电子信息所示的图案是否包含晶圆的电路上的缺陷。

[相关申请]

本申请享有以日本专利申请2018-171609号(申请日：2018年9月13日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种缺陷检查装置及缺陷检查方法。

背景技术

作为半导体制造工序中的缺陷检查的方法，以往是在工序中获取SEM(ScanningElectron Microscope，扫描电子显微镜)图像等，由作业者对其进行目视检查。

另一方面，为了检查缺陷的电影响，必须判别缺陷的产生部位及种类，并核对在半导体电路上的哪一处成为不良，为此需要大量时间。

另外，还已知有称为裸片到数据库(Die To Database)的方法，该方法是通过获得基于利用CAD(Computer-Aided Design，计算机辅助设计)所得的设计图案(设计)的图像数据与已获取的SEM图像的差分来发现缺陷。

然而，因为在晶圆上展开的SEM图像的图案例如受图案形成时的曝光条件影响较大，所以难以与所述设计图案完全一致，因此，也难以精度良好地只提取真正成为问题的缺陷部分作为差分。

进而，也考虑基于所获取的SEM图像创建CAD数据并将该CAD数据与电路数据进行核对的方法。通常，能够利用SEM图像获取的区域的范围是有限的，所以根据所述SEM图像中不包含的区域的配线连接状况，缺陷的致命度不同。因此，必须以整个芯片为对象进行核对，需要大量时间。

发明内容

实施方式提供一种能够在半导体制造的缺陷检查中缩短检查时间的缺陷检查装置及缺陷检查方法。

实施方式的缺陷检查装置具备获取部、剪辑部、第1赋予部、匹配部及核对部。获取部获取表示在晶圆上展开的图案的电子信息。剪辑部将设计数据所示的图形中与电子信息对应的部分进行剪辑而获得设计信息。第1赋予部对电子信息所示的各图案赋予第1编号，对设计信息所示的各图案赋予第2编号。匹配部创建表示第1编号与第2编号的对应关系的关系信息。核对部基于关系信息及与设计信息所示的各图案对应的节点信息，核对电子信息所示的图案是否包含晶圆的电路上的缺陷。

另外，也可还具备转换部，该转换部获得将由获取部获取的电子信息转换成CAD(Computer Aided Design)数据所得的转换信息，且第1赋予部对转换信息所示的各图案赋予第1编号，核对部基于关系信息及节点信息，核对转换信息所示的图案是否包含晶圆的电路上的缺陷。

另外，也可还具备分类部，该分类部基于由匹配部创建的关系信息的内容，将转换信息的缺陷种类进行分类，且核对部按照由分类部分类所得的缺陷种类，核对转换信息所示的图案是否包含晶圆的电路上的缺陷。

另外，也可还具备第2赋予部，该第2赋予部对设计信息所示的各图案赋予节点编号作为节点信息，且核对部基于关系信息及节点编号，核对转换信息所示的图案是否包含晶圆的电路上的缺陷。

另外，也可为在由分类部示出转换信息的缺陷种类为短路状态的情况下，核对部根据关系信息特定出与转换信息中处于短路状态的图案对应的设计信息中的图案，根据特定出的设计信息中的图案与节点编号的对应关系，核对转换信息所示的图案是否包含晶圆的电路上的缺陷。