[发明专利]深紫外LED制备方法在审
| 申请号： | 201910093849.0 | 申请日： | 2019-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN109860355A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 华斌;何伟 | 申请（专利权）人： | 苏州汉骅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 量子阱层 深紫外LED 制备 缓冲层 掩膜层 衬底 出光方向垂直 纳米柱阵列 垂直分布 发光效率 核壳结构 间隔设置 量子限制 外延结构 生长 申请 发光 | ||
1.一种深紫外LED制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底，并在所述衬底上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成间隔设置的掩膜层；
在所述掩膜层之间的间隙生长n型AlGaN层，形成垂直分布的纳米柱阵列；
在所述n型AlGaN层上依次生长量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层，形成从内到外依次为n型AlGaN层、量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层的核壳结构。
2.根据权利要求1所述的深紫外LED制备方法，其特征在于，生长形成所述纳米柱阵列的温度为1100℃-1300℃，Ⅴ族元素与Ⅲ族元素浓度的比值为200-300。
3.根据权利要求1所述的深紫外LED制备方法，其特征在于，生长形成所述核壳结构的的温度为1000℃-1200℃，Ⅴ族元素与Ⅲ族元素浓度的比值为400-500。
4.根据权利要求1所述的深紫外LED制备方法，其特征在于，所述量子阱层包括多个AlGaN/GaN异质结构。
5.根据权利要求1所述的深紫外LED制备方法，其特征在于，所述掩膜层为二氧化硅或者氮化硅。
6.根据权利要求1所述的深紫外LED制备方法，其特征在于，所述纳米柱的高度为2um-15um。
7.根据权利要求1所述的深紫外LED制备方法，其特征在于，形成所述缓冲层的过程为：将所述衬底放入MOCVD反应室中，在800℃-1000℃的温度下，通入氨气和含有铝源的气体。
8.根据权利要求1所述的深紫外LED制备方法，其特征在于，形成所述间隔设置的掩膜层的过程为：
在所述缓冲层上生长连续的掩膜层；
所述掩膜层上涂覆光刻胶，对光刻胶按预设的图案进行曝光、显影；
对光刻胶和掩膜层进行刻蚀，去除部分掩膜层，暴露出部分缓冲层。
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