[发明专利]钙钛矿量子点复合膜的制备方法

说明书

本发明公开了一种钙钛矿量子点复合膜的制备方法，包括步骤：S1、将钙钛矿量子点与卤族元素前驱体、紫外光固化胶混合并搅拌均匀，得到钙钛矿量子点成膜胶液；S2、将所述钙钛矿量子点成膜胶液涂覆在基底材料上，通过紫外线光照射进行固化，得到钙钛矿量子点复合膜。本发明的制备方法简单、工艺可控，可以较容易地获得荧光发射波长可调控的钙钛矿量子点复合膜，且膜的亮度高、稳定性也较高，对于实现钙钛矿量子点材料在下一代显示方面的实际应用具有一定的价值。

技术领域

本申请涉及发光材料领域，尤其涉及一种钙钛矿量子点复合膜的制备方法。

背景技术

钙钛矿量子点是一种新型的半导体纳米粒子，具有发光易调谐、发射谱线窄、量子效率高、成本低廉等优点，被当作优良的发光材料而受到学术界和产业界的重点关注。

为了满足市场应用需求，通常需要获得不同荧光发射峰位置的钙钛矿量子点及其荧光复合膜。现有方法制备的钙钛矿量子点复合膜的亮度低、稳定性差，且边缘失效明显，不能满足市场应用的需求。因此，亟需合适的钙钛矿量子点复合膜的制备方法。

发明内容

针对上述技术问题，本申请的目的在于提供一种荧光发射波长可调控的钙钛矿量子点复合膜的制备方法，以进一步满足钙钛矿量子点复合膜的市场应用需求。

根据本发明的第一方面，提供一种钙钛矿量子点复合膜的制备方法，包括以下步骤：

S1、将钙钛矿量子点与卤族元素前驱体、紫外光固化胶混合并搅拌均匀，得到钙钛矿量子点成膜胶液；

S2、将钙钛矿量子点成膜胶液涂覆在基底材料上，通过紫外线光照射进行固化，得到钙钛矿量子点复合膜。

本发明在钙钛矿量子点成膜胶液中引入卤族元素前驱体，通过改变卤族元素前驱体的种类和添加量，有效调控钙钛矿量子点复合膜的荧光发射峰位置。发明人发现，将卤族元素前驱体与钙钛矿量子点、紫外光固化胶混合，可以使钙钛矿量子点与卤族元素前驱体之间相互作用，卤族元素前驱体中的部分或全部卤素原子掺入到钙钛矿量子点中，并经由紫外线光照射固化锁定，从而最终影响了钙钛矿量子点复合膜的荧光发射峰位置。

进一步地，本发明中的钙钛矿量子点包括有机和无机杂化的钙钛矿量子点、全无机的钙钛矿量子点、全有机的钙钛矿量子点中的至少一种。

进一步地，本发明中的卤族元素前驱体包括卤化物、卤素单质中的至少一种。

更进一步地，卤化物包括氯化物、溴化物、碘化物中的至少一种，卤素单质包括氯单质、溴单质、碘单质中的至少一种。

进一步地，本发明中的卤化物包括有机卤化物和无机卤化物中的至少一种。

更进一步地，有机卤化物包括卤代饱和烃、卤代不饱和烃、卤代醇及其衍生物、卤代胺及其衍生物中的至少一种。

本发明中，对于任意发射峰位置的钙钛矿量子点，引入卤族元素前驱体都可以不同程度地影响所制备的钙钛矿量子点复合膜的发射峰位置。

进一步地，本发明中，将不同种类的卤族元素前驱体与“由不同卤素离子构成的钙钛矿量子点”的成膜胶液混合，可以获得具有不同荧光发射峰位置的钙钛矿量子点复合膜。

更进一步地，在“由溴离子构成的钙钛矿量子点”的成膜胶液中引入含氯元素前驱体，可以使所制备的复合膜的荧光发射位置发生蓝移，而相同条件下引入含碘元素前驱体，则可以使复合膜的荧光发射峰位置发生红移；在“由氯离子构成的钙钛矿量子点”的成膜胶液中引入含溴元素前驱体和/或含碘元素前驱体，可以使复合膜的荧光发射峰位置发生不同程度的红移；而在“由碘离子构成的钙钛矿量子点”的成膜胶液中引入含氯元素前驱体和/或含溴元素前驱体，则可以使复合膜的荧光发射峰位置发生不同程度的蓝移。