[发明专利]基于温度及工艺补偿的欠压保护电路及方法

说明书

本发明涉及电源技术领域，公开了一种基于温度及工艺补偿的欠压保护电路及方法，该电路包括：温度工艺补偿电路和分压电路，电源电压产生分压电流连接至所述分压电路的一端，温度工艺补偿电路产生补偿电流连接至所述分压电路的另一端，分压电路根据所述分压电流及所述补偿电流产生输出电压，当所述输出电压低于预设电压阈值时，输出欠压保护信号以进行欠压保护；通过将与温度工艺相关的补偿电流叠加入分压阻抗中，实现温度工艺补偿功能，极大的改善了电源欠压保护阈值的一致性，保证了检测信号的准确性，减少了电路复杂度，功耗较低。

技术领域

本发明涉及电源技术领域，尤其涉及一种基于温度及工艺补偿的欠压保护电路及方法。

背景技术

欠压保护电路是一种常用的电源保护机制，欠压保护是指在电源电压较低的情况下不允许内部子电路工作，避免电源因过放电而损耗寿命，又避免由于电压过低导致内部电路存在不定态，出现误操作等。

目前，常见的欠压保护电路通常利用基准电压及比较器，来判断电源电压是否出现欠压，如果出现欠压，则关闭内部相关电路。该方法能够准确的测量电源电压，离散度小。一方面该方法需要基准电压保持稳定工作状态，一般消耗较大电流；另一方面该方法需要保证基准电压处于正常状态下，若电源电压过低，导致基准电压异常，可能输出错误信号。

另一种方式是采用电源电压分压，使用该分压驱动MOS管，若MOS管未导通，则判断为欠压；若可使得MOS管导通，则判断为未欠压。这种方法简单易实现，但由于MOS管阈值受工艺、温度偏差较大，致使该方法判断阈值变化范围很大，极大的限制了其应用场景。

发明内容

本发明的主要目的在于提出一种基于温度及工艺补偿的欠压保护电路及方法，通过将与温度工艺相关的补偿电流叠加入分压阻抗中，实现温度工艺补偿功能，极大的改善了电源欠压保护阈值的一致性，保证了检测信号的准确性，减少了电路复杂度，功耗较低。

为实现上述目的，本发明提供的一种基于温度及工艺补偿的欠压保护电路，包括：温度工艺补偿电路和分压电路，电源电压产生分压电流连接至所述分压电路的一端，温度工艺补偿电路产生补偿电流连接至所述分压电路的另一端，分压电路根据所述分压电流及所述补偿电流产生输出电压，当所述输出电压低于预设电压阈值时，输出欠压保护信号以进行欠压保护。

可选地，还包括驱动电路，所述驱动电路包括MOS管MN1，所述预设电压阈值由所述MOS管MN1的参数计算得到，当所述输出电压低于预设电压阈值时，所述MOS管MN1断开，所述欠压保护信号为1；当所述输出电压高于或等于预设电压阈值时，所述MOS管MN1完全导通，所述欠压保护信号为零。

可选地，所述温度工艺补偿电路包括：PMOS管MP5、PMOS管MP7、PMOS管MP8、PMOS管MP9、PMOS管MP10、NMOS管MN3、NMOS管MN4、NMOS管MN5、NMOS管MN8、NMOS管MN9、NMOS管MN10和电阻R1；其中，所述PMOS管MP5的栅极与VPB电压端连接，所述PMOS管MP5的源极与PMOS管MP7的源极、PMOS管MP8的源极、PMOS管MP9的源极及PMOS管MP10的源极连接在一起，PMOS管MP5的漏极与NMOS管MN3的源极、NMOS管MN3的栅极及NMOS管MN4的栅极连接在一起，NMOS管MN3的漏极与NMOS管MN5的源极及NMOS管MN5的栅极连接在一起，NMOS管MN4的源极与PMOS管MP7的栅极、PMOS管MP7的漏极及PMOS管MP8的栅极连接在一起，NMOS管MN4的漏极与电阻R1的一端连接，PMOS管MP8的漏极与NMOS管MN8的源极、NMOS管MN9的源极、NMOS管MN9的栅极及NMOS管MN10的栅极连接在一起，NMOS管MN8的栅极与VNB电压端连接，NMOS管MN5的漏极与电阻R1的另一端、NMOS管MN8的漏极、NMOS管MN9的漏极及NMOS管MN10的漏极一起接地，PMOS管MP9的栅极与PMOS管MP9的漏极、PMOS管MP10的栅极连接在一起，PMOS管MP10的漏极用于输出补偿电流I2。