[发明专利]磁存储装置在审
| 申请号： | 201910094358.8 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN110896126A | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 玖村芳典 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L27/22;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 装置 | ||
1.一种磁存储装置，具备：
第1配线；
第2配线，设置在所述第1配线的上层侧；
第3配线，设置在所述第2配线的上层侧；
第1存储器单元，设置在所述第1配线与所述第2配线之间，包含含有磁性层的第1积层构造；
第2存储器单元，设置在所述第2配线与所述第3配线之间，包含含有磁性层的第2积层构造；及
光反射层，设置在所述第1配线的上层侧且所述第3配线的下层侧，具有较光透过率高的光反射率。
2.根据权利要求1所述的磁存储装置，其中所述光反射层由铝氧化物、铝或铜形成。
3.根据权利要求1所述的磁存储装置，其中所述第1存储器单元进而包含与所述第1积层构造连接的第1开关元件，
所述第2存储器单元进而包含与所述第2积层构造连接的第2开关元件。
4.根据权利要求1所述的磁存储装置，其中所述第1积层构造及所述第2积层构造分别包含：第1磁性层，具有可变的磁化方向；第2磁性层，具有固定的磁化方向；及非磁性层，设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间。
5.一种磁存储装置，具备：
第1配线；
第2配线，设置在所述第1配线的上层侧；
第3配线，设置在所述第2配线的上层侧；
第1存储器单元，设置在所述第1配线与所述第2配线之间，包含含有磁性层的第1积层构造；
第2存储器单元，设置在所述第2配线与所述第3配线之间，包含含有磁性层的第2积层构造；及
光吸收层，设置在所述第2配线的上层侧且所述第3配线的下层侧，具有较光透过率高的光吸收率。
6.根据权利要求5所述的磁存储装置，其中所述光吸收层由硅氮化物或硅碳化物形成。
7.根据权利要求5所述的磁存储装置，其中所述第1存储器单元进而包含与所述第1积层构造连接的第1开关元件，
所述第2存储器单元进而包含与所述第2积层构造连接的第2开关元件。
8.根据权利要求5所述的磁存储装置，其中所述第1积层构造及所述第2积层构造分别包含：第1磁性层，具有可变的磁化方向；第2磁性层，具有固定的磁化方向；及非磁性层，设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间。
9.一种磁存储装置，具备：
第1配线；
第2配线，设置在所述第1配线的上层侧；
第3配线，设置在所述第2配线的上层侧；
第1存储器单元，设置在所述第1配线与所述第2配线之间，包含含有磁性层的第1积层构造；及
第2存储器单元，设置在所述第2配线与所述第3配线之间，包含含有磁性层的第2积层构造；且
在所述第1配线的上层侧且所述第3配线的下层侧设置有空隙。
10.根据权利要求9所述的磁存储装置，其中所述第1存储器单元进而包含与所述第1积层构造连接的第1开关元件，
所述第2存储器单元进而包含与所述第2积层构造连接的第2开关元件。
11.根据权利要求9所述的磁存储装置，其中所述第1积层构造及所述第2积层构造分别包含：第1磁性层，具有可变的磁化方向；第2磁性层，具有固定的磁化方向；及非磁性层，设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间。
12.一种磁存储装置，具备：
第1配线；
第2配线，设置在所述第1配线的上层侧；
第3配线，设置在所述第2配线的上层侧；
第1存储器单元，设置在所述第1配线与所述第2配线之间，包含含有磁性层的第1积层构造；及
第2存储器单元，设置在所述第2配线与所述第3配线之间，包含含有磁性层的第2积层构造；且
所述第2配线具有较所述第1配线低的热传导率。
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