[发明专利]一种多相强化的电子封装用铜合金及其制备方法

权利要求书

1.一种多相强化的电子封装用铜合金，其特征在于，由以下重量百分比的组分构成：1.0～8.0%的镍，0.25～2%的硅、0.1～0.2%的铁、0.01～0.05%的磷、0.1～0.4%的镁，余量为铜和不可避免的杂质元素；

一种多相强化的电子封装用铜合金的制备方法，包括以下步骤：

（1）制备铜镁中间合金：按照上述重量百分配比，分别称取镁以及组分铜总质量10～20%的铜放入真空非自耗电极电弧熔炼炉内进行熔炼，抽真空至炉内压强为5×10^-2Pa，然后充入氩气至炉内压强为0.05MPa，之后，控制炉内温度升高至1050~1100℃，进行熔炼0.5~1h，自然冷却后得到铜镁中间合金，备用；

（2）制备铜磷中间合金：按照上述重量百分配比，分别称取磷以及组分铜总质量10～15%的铜放入真空非自耗电极电弧熔炼炉内进行熔炼，抽真空至炉内压强为5×10^-2Pa，然后充入氩气至炉内压强为0.05MPa，之后，控制炉内温度升高至1000~1030℃，进行熔炼0.5~1h，自然冷却后得到铜磷中间合金，备用；

（3）熔炼、铸模：按照上述重量百分配比，分别称取纯镍、纯硅和纯铁，与步骤（1）制得的铜镁中间合金、步骤（2）制得的铜磷中间合金以及上述步骤使用后余量的铜一起放入高频真空熔炼炉内进行熔炼，抽真空至炉内压强为5×10^-2Pa，然后充入氮气至炉内压强为0.05MPa，控制熔炼温度为1200～1350℃，熔融后，于1100～1200℃的浇注温度条件下注入铸模，形成铸锭，自然冷却至室温，备用；

（4）热挤压：将步骤（3）制得的铸锭加热至900～950℃，并在该温度下进行保温处理2～4h，然后，按照5～10:1的挤压比热挤压成棒坯，备用；

（5）固溶处理：将步骤（4）的棒坯装入箱式电阻炉中，在900～950℃温度下进行保温1.5～2.5h，然后进行水淬；

（6）冷轧变形：将步骤（5）固溶处理后的合金进行冷轧变形，控制变形量为20～80%；

（7）时效处理和冷轧变形：将步骤（6）冷轧变形后的合金置于450～550℃的温度条件下进行时效处理，之后进行冷轧变形，即得成品电子封装用铜合金。

2.如权利要求1所述的一种多相强化的电子封装用铜合金，其特征在于：在步骤（7）中，所述时效处理和冷轧变形的具体操作方法为：将步骤（6）冷轧变形后的合金先置于450～550℃的温度条件下，进行保温1～24h的时效处理，之后，进行变形量为20～80%的第一次冷轧变形，然后，再置于450～550℃的温度条件下，进行保温2～24h的时效处理，随后，进行变形量为60～80%的第二次冷轧变形，制得成品电子封装用铜合金。

3.如权利要求1所述的一种多相强化的电子封装用铜合金，其特征在于：将进行过第二次冷轧变形后的合金置于460℃温度条件下，进行保温1～6h的时效处理，随后，进行变形量为20～80%的第三次冷轧变形，制得成品电子封装用铜合金。