[发明专利]可集成化MEMS振荡器电路有效

专利信息
申请号: 201910095181.3 申请日: 2019-01-30
公开(公告)号: CN111510069B 公开(公告)日: 2023-08-01
发明(设计)人: 陈华;孟真;张兴成;刘谋 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H03B5/08 分类号: H03B5/08
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 集成化 mems 振荡器 电路
【权利要求书】:

1.一种可集成化MEMS振荡器电路,其特征在于,包括:

集成的多级信号放大模块,用于对输入信号进行各级放大,该多级信号放大模块的最后一级信号放大模块用于信号的输出,输出信号连接至高频器件的输入端,输入信号连接至高频器件的输出端;

其中,各级信号放大模块采用不同的电源进行供电,且各级信号放大模块具有各自独立的地,在各级信号放大模块之间设置有隔直电容,通过该隔直电容实现各级信号放大模块的级联,

其中,第一级信号放大模块的带宽设置为1倍的高频器件谐振频率,第二级信号放大模块包括:Cherry-Hooper放大器以及有源移相器,该有源移相器实现所述第一级信号放大模块的相位补偿。

2.根据权利要求1所述的可集成化MEMS振荡器电路,其特征在于,该高频器件为MEMS谐振器或者高频传感器件,多级信号放大模块的输出信号连接至MEMS谐振器或者高频传感器件的输入端,实现对MEMS谐振器或者高频传感器件的驱动。

3.根据权利要求1所述的可集成化MEMS振荡器电路,其特征在于,所述多级信号放大模块包括:第一级信号放大模块和第二级信号放大模块,第一级信号放大模块用于将输入信号进行放大以及输出,第二级信号放大模块用于将第一级信号放大模块的输出信号进行进一步放大以及输出;

其中,第一级信号放大模块采用第一电源进行供电,第二级信号放大模块采用第二电源进行供电,第二电源由第一电源的一个分支经过低压差调节器转换得到,该第二电源设置为不超过所述高频器件能承受的电压幅值。

4.根据权利要求3所述的可集成化MEMS振荡器电路,其特征在于,

所述第一级信号放大模块包括如下放大器中的一种或几种:跨阻放大器、电压放大器、电荷放大器、以及电容放大器;和/或,

所述第二级信号放大模块包括电压放大器。

5.根据权利要求4所述的可集成化MEMS振荡器电路,其特征在于,所述第一级信号放大模块包含跨阻放大器,在Cherry-Hooper放大器和有源移相器之间设置有第二隔直电容,该Cherry-Hooper放大器和有源移相器均采用第二电源进行供电,且共用一个地。

6.根据权利要求5所述的可集成化MEMS振荡器电路,其特征在于,所述Cherry-Hooper放大器通过设置漏端电阻大小实现带宽增大以及通过对偏置电流和输入管尺寸的调控实现高增益。

7.根据权利要求1所述的可集成化MEMS振荡器电路,其特征在于,

所述输入信号包括如下信号中的一种:电流信号、电压信号、以及电容信号;和/或,

所述输出信号包括如下信号中的一种:电流信号以及电压信号。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的可集成化MEMS振荡器电路,其特征在于,还包括:

测试缓冲器,其输入端通过第三隔直电容与最后一级信号放大模块的输出端连接,其输出端连接测试仪器;

其中,该测试缓冲器采用第三电源进行供电,且具有独立的地,该第三电源为独立电源。

9.根据权利要求8所述的可集成化MEMS振荡器电路,其特征在于,其特征在于,

所述多级信号放大模块中各级信号放大模块的地与测试缓冲器的地在远端实现星形短接;和/或,

所述各级信号放大模块通过ASIC进行集成;和/或,

所述第三电源相较于第一电源来说为高电压电源。

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