[发明专利]RF开关在审
申请号: | 201910095216.3 | 申请日: | 2019-01-30 |
公开(公告)号: | CN110113038A | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 吉安·霍赫扎德;德尼兹汗·卡拉贾 | 申请(专利权)人: | 恩智浦有限公司 |
主分类号: | H03K17/76 | 分类号: | H03K17/76;H04B1/40 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
地址: | 荷兰埃因霍温高科*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可切换电容器 阻断状态 电容 公共端 天线连接 第一端 收发器 | ||
描述了一种用于将天线连接到收发器的RF开关。所述RF开关包括布置在第一端与公共端之间的第一可切换电容器和布置在第二端和所述公共端之间的第二可切换电容器。所述第一可切换电容器和所述第二可切换电容器中的每一个均可在通过状态与阻断状态之间切换。所述通过状态下的电容值高于所述阻断状态下的电容值。
技术领域
本公开涉及一种用于天线的RF开关。
背景技术
如基站等移动通信系统或如移动电话等移动装置通常包括RF(射频)前端,所述RF前端经由一个或多个RF开关将收发器连接到一个或多个天线。包括通常被实施为SPDT(单刀双掷)开关的此类RF开关的RF前端可以在收发器的接收模式中将天线连接到低噪声放大器(LNA)使得可以接收RF信号或者在收发器的发射模式中将天线连接到功率放大器(PA)使得可以发射RF信号。RF切换功能的关键性能要求是插入损耗(IL)。当收发器处于接收模式时,插入损耗直接添加到噪声指数(NF),所述噪声指数进而可以确定接收器的灵敏度。RF开关IL因数还影响PA在收发器的发射模式中的功率输出要求。功率输出要求的增加导致PA电流消耗增加,这进而可能导致包括RF前端电路系统的集成电路的温度的不期望增加。
发明内容
随附的权利要求书中限定了本公开的各个方面。在一个方面,提供了一种用于将天线连接到收发器的RF开关,所述RF开关包括布置在第一端与公共端之间的第一可切换电容器和布置在第二端与所述公共端之间的第二可切换电容器,其中所述第一可切换电容器和所述第二可切换电容器中的每一个均可在通过状态与阻断状态之间切换,其中所述通过状态下的电容值高于所述阻断状态下的电容值。
在一个或多个实施例中,所述RF开关可以另外包括偏置电路,所述偏置电路具有控制输入端并且被配置为响应于所述控制输入端中的控制信号而在所述阻断状态或所述通过状态下偏置双极晶体管。
在一个或多个实施例中,所述RF开关可以另外包括耦合到所述第一端的第一谐振器电路、耦合到所述第二端的第二谐振器电路和耦合到所述公共端的第三谐振器,其中每个谐振器电路在RF频率下的阻抗比在DC下高。
在一个或多个实施例中,所述第一谐振器电路、所述第二谐振器电路和第三谐振器电路可以耦合到所述偏置电路。
在一个或多个实施例中,所述第一谐振器电路、所述第二谐振器电路和所述第三谐振器电路可以包括自谐振线圈。
在所述RF开关的一个或多个实施例中,所述偏置电路可以被配置为向处于所述通过状态的相应双极晶体管供应正向偏置电流并且向处于所述阻断状态的相应双极晶体管供应反向偏置电压。
在所述RF开关的一个或多个实施例中,所述偏置电路可以包括被配置为根据RF信号的功率供应所述正向偏置电流的功率相关自适应电流源。
在所述RF开关的一个或多个实施例中,所述偏置电路可以包括耦合到所述第一端的第一可切换电流源、耦合到所述第一端的第一可切换电压源、耦合到所述第二端的第二可切换电流源、耦合到所述第二端的第二可切换电压源和耦合到所述公共端的公共可切换电压源,其中在第一操作模式中,所述RF开关被配置为使所述第一可切换电流源、所述第二可切换电压源和所述公共可切换电压源能够将所述第一可切换电容器配置为处于通过状态并将所述第二可切换电容器配置为处于阻断状态,并且在第二操作模式中,使所述第二可切换电流源、所述第一可切换电压源和所述公共可切换电压源能够将所述第一可切换电容器配置为处于阻断状态并将所述第二可切换电容器配置为处于通过状态。
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