[发明专利]配置内存结构有效
| 申请号： | 201910095462.9 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN111506523B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 林正隆;梁万栋 | 申请（专利权）人： | 森富科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/0846 | 分类号： | G06F12/0846 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 何为;袁颖华 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 配置 内存 结构 | ||
1.一种配置内存结构，其包括数个内存和一处理单元，其特征在于，还包括一电路板及一反射吸收单元，其中：
该电路板具有一第一表面及一第二表面，该第一表面设有相对称的一第一线路单元及一第二线路单元，该第一线路单元和该第二线路单元分别具有数个地址连接区、指令连接区及控制连接区，且所述电路板设有数个连通该第一表面与该第二表面的线路穿孔；
该数个内存分别设于该电路板的第一表面与该第二表面，各内存至少具有一地址接脚、一指令接脚及一控制接脚，第一表面的各内存以该地址接脚、该指令接脚与该控制接脚连接至该第一线路单元与该第二线路单元，第二表面上的各内存以该地址接脚、该指令接脚与该控制接脚透过该穿孔连接至该第一线路单元与该第二线路单元；
该处理单元连接该第一线路单元；
该反射吸收单元连接该第二线路单元。
2.如权利要求1所述的配置内存结构，其特征在于，所述各内存分别具有相对应的至少二个输入/输出端口。
3.如权利要求1所述的配置内存结构，其特征在于，所述各内存分别具有一输入/输出端口。
4.如权利要求1所述的配置内存结构，其特征在于，所述反射吸收单元为电阻。
5.如权利要求4所述的配置内存结构，其特征在于，所述反射吸收单元的电阻阻值介于30欧姆～100欧姆之间。
6.如权利要求1所述的配置内存结构，其特征在于，所述反射吸收单元连接二分之一工作电压。
7.如权利要求1所述的配置内存结构，其特征在于，所述配置内存结构使用于10MHz～10GHz工作频率的电路上。
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