[发明专利]一种GaN器件欧姆接触的改良方法有效

专利信息
申请号: 201910095568.9 申请日: 2019-01-31
公开(公告)号: CN109950145B 公开(公告)日: 2021-07-02
发明(设计)人: 郑雪峰;陈管君;陈轶昕;王小虎;马晓华;郝跃 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H01L21/28 分类号: H01L21/28;H01L29/45
代理公司: 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 代理人: 张捷
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 gan 器件 欧姆 接触 改良 方法
【权利要求书】:

1.一种GaN器件欧姆接触的改良方法,其特征在于,包括:

制备GaN器件,其中,所述GaN器件具有欧姆接触电极;

然后在所述GaN器件表面制备一层质子无法穿过的阻挡层,并将所述欧姆接触电极上方的阻挡层光刻掉;

在预设能量、预设剂量、预设温度、预设压强和预设时间下,对所述欧姆接触电极进行质子辐照;

所述预设剂量为5×1013~5×1014H+/cm2

2.如权利要求1所述的GaN器件欧姆接触的改良方法,其特征在于,制备GaN器件,包括:

对SiC或蓝宝石衬底进行退火处理;

在所述衬底上生长AlN成核层;

在所述AlN成核层上生长GaN缓冲层;

在所述GaN缓冲层上生长AlGaN势垒层;

在所述AlGaN势垒层上生长欧姆金属并进行退火处理,形成欧姆接触电极;

在所述AlGaN势垒层上生长SiN钝化层;

在所述AlGaN势垒层上生长肖特基接触电极。

3.如权利要求1所述的GaN器件欧姆接触的改良方法,其特征在于,对所述欧姆接触电极进行质子辐照,包括

采用低能加速器的真空枪体沿所述欧姆接触电极的表面匀速运动,使经过所述低能加速器加速的质子均匀注入所述欧姆接触电极。

4.如权利要求1所述的GaN器件欧姆接触的改良方法,其特征在于,所述预设剂量为5×1014H+/cm2

5.如权利要求1所述的GaN器件欧姆接触的改良方法,其特征在于,所述预设温度为20~22℃。

6.如权利要求1所述的GaN器件欧姆接触的改良方法,其特征在于,所述预设压强为100~10-8Pa。

7.如权利要求1所述的GaN器件欧姆接触的改良方法,其特征在于,所述预设压强为1×10-5Pa。

8.如权利要求1所述的GaN器件欧姆接触的改良方法,其特征在于,所述预设时间为5~30h。

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