[发明专利]一种GaN器件欧姆接触的改良方法有效
申请号: | 201910095568.9 | 申请日: | 2019-01-31 |
公开(公告)号: | CN109950145B | 公开(公告)日: | 2021-07-02 |
发明(设计)人: | 郑雪峰;陈管君;陈轶昕;王小虎;马晓华;郝跃 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L29/45 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 张捷 |
地址: | 710071*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 gan 器件 欧姆 接触 改良 方法 | ||
1.一种GaN器件欧姆接触的改良方法,其特征在于,包括:
制备GaN器件,其中,所述GaN器件具有欧姆接触电极;
然后在所述GaN器件表面制备一层质子无法穿过的阻挡层,并将所述欧姆接触电极上方的阻挡层光刻掉;
在预设能量、预设剂量、预设温度、预设压强和预设时间下,对所述欧姆接触电极进行质子辐照;
所述预设剂量为5×1013~5×1014H+/cm2。
2.如权利要求1所述的GaN器件欧姆接触的改良方法,其特征在于,制备GaN器件,包括:
对SiC或蓝宝石衬底进行退火处理;
在所述衬底上生长AlN成核层;
在所述AlN成核层上生长GaN缓冲层;
在所述GaN缓冲层上生长AlGaN势垒层;
在所述AlGaN势垒层上生长欧姆金属并进行退火处理,形成欧姆接触电极;
在所述AlGaN势垒层上生长SiN钝化层;
在所述AlGaN势垒层上生长肖特基接触电极。
3.如权利要求1所述的GaN器件欧姆接触的改良方法,其特征在于,对所述欧姆接触电极进行质子辐照,包括
采用低能加速器的真空枪体沿所述欧姆接触电极的表面匀速运动,使经过所述低能加速器加速的质子均匀注入所述欧姆接触电极。
4.如权利要求1所述的GaN器件欧姆接触的改良方法,其特征在于,所述预设剂量为5×1014H+/cm2。
5.如权利要求1所述的GaN器件欧姆接触的改良方法,其特征在于,所述预设温度为20~22℃。
6.如权利要求1所述的GaN器件欧姆接触的改良方法,其特征在于,所述预设压强为100~10-8Pa。
7.如权利要求1所述的GaN器件欧姆接触的改良方法,其特征在于,所述预设压强为1×10-5Pa。
8.如权利要求1所述的GaN器件欧姆接触的改良方法,其特征在于,所述预设时间为5~30h。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造