[发明专利]一种小反射宽频带标准场产生装置有效
申请号: | 201910095641.2 | 申请日: | 2019-01-31 |
公开(公告)号: | CN109884569B | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 蒋廷勇;王晓嘉;周恒;宁辉;孟萃;燕有杰;刘小龙 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军63653部队 |
主分类号: | G01R35/00 | 分类号: | G01R35/00;G01R29/10 |
代理公司: | 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 | 代理人: | 刘瑞东 |
地址: | 841700 新疆维吾尔*** | 国省代码: | 新疆;65 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 反射 宽频 标准 产生 装置 | ||
1.一种小反射宽频带标准场产生装置,其特征在于,包括加载单锥TEM室(1)和半球形微波暗室(2);
所述加载单锥TEM室(1)包括锥体(3)、镜面板(4)、馈电结构(6)和多个无感电阻(7),馈电结构(6)穿过镜面板(4)与锥体(3)连接;
多个无感电阻(7)通过金属线(8)以等间隔串联布设的方式连接锥体(3)末端和镜面板(4)末端,无感电阻(7)与馈电结构(6)的距离与锥体(3)母线等长,并且与锥体(3)末端和镜面板(4)末端距离相等;
脉冲源(5)连接馈电结构(6),脉冲源(5)产生信号通过馈电结构(6)激励进入单锥TEM室内部产生一定时间窗的标准场;
所述加载单锥TEM室(1)通过连接件(9)固定于半球形微波暗室(2)的正中间;
所述多个无感电阻(7)并联后等效阻抗与单锥TEM室特征阻抗相等;
所述多个无感电阻(7)并联后等效阻抗与单锥TEM室特征阻抗为50Ω特征阻抗;
所述无感电阻(7)数量为8个。
2.根据权利要求1所述小反射宽频带标准场产生装置,其特征在于,馈电结构(6)包括锥体插针(10)和金属环(11),锥体插针(10)外部嵌套了一个金属环(11),锥体插针(10)的两端分别连接锥体(3)和脉冲源(5)。
3.根据权利要求2所述小反射宽频带标准场产生装置,其特征在于,金属环(11)线圈直径为1.0~1.5mm,其与镜面板(4)的垂直距离为1.0mm~1.2mm。
4.根据权利要求1所述小反射宽频带标准场产生装置,其特征在于,半球形微波暗室(2)采用尖劈型吸波材料制作。
5.根据权利要求1所述小反射宽频带标准场产生装置,其特征在于,镜面板(4)下面设置支撑柱(12)。
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