[发明专利]用于质谱分析的设备以及用于分析半导体晶圆的方法

说明书

提供了一种用于质谱分析的设备以及分析半导体晶圆的方法。所述用于质谱分析的设备包括其上设置有包括有机物的半导体晶圆的板。混合进料器将ZnO‑石墨烯杂化物提供到半导体晶圆上的预定区域。质量分析器利用激光解吸/电离质谱(LDI‑MS)检测预定区域中的有机物。

本申请要求于2018年3月6日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0026121号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明构思的示例性实施例涉及一种用于质谱分析的设备和方法，更具体地，涉及一种用于分析半导体晶圆的方法。

背景技术

为了提高半导体装置的性能和产率，可以分析可能存在的在制造半导体装置的工艺期间产生的污染物。随着半导体装置变得越来越高度集成，分析在制造半导体装置的工艺期间残留在半导体晶圆的区域上的污染物会变得更加困难。

为了分析残留在半导体装置的一部分上的污染物，例如，可以利用基质辅助激光解吸/电离质谱(MALDI-MS)。MALDI-MS是用于使最少的分析物的碎片蒸发或电离的技术，并且通常被认为是可以应用于具有相对大的分子量并且对热相对不稳定的生物聚合物或合成聚合物的技术。然而，由于基质干扰，会难以利用MALDI-MS分析具有低于1,000Da的分子量的分析物。

发明内容

本发明构思的示例性实施例提供一种用于质谱分析的设备以及用于分析半导体晶圆的方法，该设备和方法可以分析残留在半导体晶圆的区域上的具有相对低的分子量的污染物。

本发明构思的示例性实施例提供一种可以分析具有低分子量的区域分析物的用于质谱分析的设备和方法。

本发明构思的示例性实施例提供一种用于制造半导体封装件的方法，通过该方法可以提高可靠性。

根据本发明构思的示例性实施例，用于质谱分析的设备包括其上设置有包括有机物的半导体晶圆的板。混合进料器将ZnO-石墨烯杂化物提供到半导体晶圆上的预定区域。质量分析器利用激光解吸/电离质谱(LDI-MS)检测预定区域中的有机物。

根据本发明构思的示例性实施例，用于质谱分析的设备包括其上设置有包括分析物的基底的板。混合进料器提供将要吸附在分析物上的ZnO-石墨烯杂化物，以在基底上制备混合样品。光照射单元照射光以使分析物电离，以生成电离的分析物。离子检测单元检测电离的分析物以生成分析物的质量数据。

根据本发明构思的示例性实施例，用于质谱分析的方法包括准备包括有机物的半导体晶圆。该方法包括将ZnO-石墨烯杂化物提供到半导体晶圆上的预定区域。该方法包括利用激光解吸/电离质谱(LDI-MS)检测预定区域中的有机物。

附图说明

通过参照附图对本发明构思的示例性实施例进行详细描述，本发明构思的上述和其它方面和特征将变得更加明显，在附图中：

图1是根据本发明构思的示例性实施例的用于质谱分析的设备的框图；

图2A和图2B是图1的混合进料器的图；

图3是ZnO、石墨烯和ZnO-石墨烯杂化物的示例性的TEM图像的图；

图4是图1的质量分析器的图；

图5和图6分别是用于示例和对比示例的示例性波长和吸光度值的曲线图；

图7是根据本发明构思的示例性实施例的用于质谱分析的设备的图；

图8示出了对比示例1至对比示例3以及示例1至示例3的激光解吸/电离质谱的示例性光谱；

图9示出了示例2以及示例4至示例6的激光解吸/电离质谱的示例性光谱；