[发明专利]晶圆处理设备

权利要求书

1.一种晶圆处理设备，其特征在于，包括：

处理腔室；

位于所述处理腔室内的至少一个基座，所述基座用于放置待处理晶圆，所述基座能够在所述处理腔室内进行圆周运动；

所述基座表面倾斜，且随着与所述圆周运动的旋转圆心之间的距离逐渐增大，所述基座表面各处高度逐渐增高；

至少一个管状喷头，位于所述处理腔室内，设置于所述基座上方，用于向所述晶圆表面喷洒工艺气体；所述管状喷头包括管体和沿所述管体分布的气孔，所述管状喷头相对所述基座表面倾斜设置，且随着与所述旋转圆心之间的距离逐渐增大，所述管状喷头与所述基座之间的垂直高度逐渐减小。

2.根据权利要求1所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述基座表面的法线与所述圆周运动旋转轴线位于同一平面内。

3.根据权利要求1所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述基座表面的倾斜角度大于0°，小于90°，所述倾斜角度为所述基座表面与水平面之间的夹角。

4.根据权利要求1所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述基座表面具有与晶圆尺寸对应的凹槽，用于放置晶圆并固定所述晶圆位置。

5.根据权利要求1所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述基座表面具有静电吸附单元，用于吸附晶圆。

6.根据权利要求1所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述基座底部设置有至少两根可升降支柱，用于调整所述基座表面的倾斜度。

7.根据权利要求1所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述基座的旋转速率小于等于240周/分钟。

8.根据权利要求1所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述管状喷头的长度方向经过所述旋转圆心。

9.根据权利要求1所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述处理腔室包括吸附区域、吹扫区域和反应区域；所述吸附区域用于通入吸附于晶圆表面的吸附气体，所述吹扫区域用于通入吹扫气体以对晶圆表面进行吹扫去除晶圆表面多余的吸附气体，所述反应区域用于通入反应气体，与所述晶圆表面吸附的气体进行反应，在晶圆表面形成沉积膜层。

10.根据权利要求9所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述管状喷头至少设置于所述吸附区域内。

11.根据权利要求1所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述晶圆处理设备用于进行原子层沉积工艺。