[发明专利]一种碳化硅纳米线及其制备方法在审
| 申请号： | 201910097440.6 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN111498851A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 王洪升;栾强;韦其红;朱保鑫;李伶;张萍萍 | 申请（专利权）人： | 山东工业陶瓷研究设计院有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/984 | 分类号： | C01B32/984 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 赵奕 |
| 地址： | 255000 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 纳米 及其 制备 方法 | ||
1.一种碳化硅纳米线制备方法，其特征在于，所述方法包括：
通过使硅源材料在高温环境下升华得到硅蒸汽；
所述硅蒸汽在石墨收集器上原位生成碳化硅纳米线。
2.根据权利要求1所述的碳化硅纳米线制备方法，其特征在于，所述方法还包括：
所述硅源材料为硅粉或氮化硅粉。
3.根据权利要求2所述的碳化硅纳米线制备方法，其特征在于，所述方法还包括：
所述高温环境的温度范围为1400℃～1900℃。
4.根据权利要求3所述的碳化硅纳米线制备方法，其特征在于，所述方法还包括：
若以硅粉作为硅源，则所述高温环境的温度范围为1400℃～1500℃。
5.根据权利要求3所述的碳化硅纳米线制备方法，其特征在于，所述方法还包括：
若以氮化硅粉作为硅源，则所述高温环境的温度范围为1600℃～1700℃。
6.根据权利要求1所述的碳化硅纳米线制备方法，其特征在于，所述通过使硅源材料在高温环境下升华得到硅蒸汽还包括：
所述硅源材料的升华在真空环境中进行。
7.根据权利要求1所述的碳化硅纳米线制备方法，其特征在于，所述方法还包括：
所述石墨收集器为树枝状或网络状的石墨材质的收集器。
8.根据权利要求1所述的碳化硅纳米线制备方法，其特征在于，所述方法还包括：
碳化硅纳米线在石墨收集器上的生长时间为30min～4h。
9.根据权利要求8所述的碳化硅纳米线制备方法，其特征在于，所述方法还包括：
碳化硅纳米线在石墨收集器上的生长时间为2h。
10.一种碳化硅纳米线，其特征在于，所述碳化硅纳米线根据权利要求1-9所述的方法制备。
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