[发明专利]封装方法及封装结构

权利要求书

1.一种封装方法，包含步骤：

(a)提供一半封装单元，该半封装单元包含嵌于一绝缘结构内的一电子组件、一导热结构、一第一金属层及一第二金属层，该第一金属层贴附于该电子组件，该第二金属层贴附于该导热结构；

(b)移除部分的该绝缘结构以于该半封装单元的一边缘处形成至少一凹部，并于该半封装单元的一侧形成多个第一开孔，以暴露出该第一金属层及该第二金属层；

(c)于该绝缘结构上形成一第一金属重布线层以连接该第一金属层及该第二金属层；以及

(d)于该第一金属重布线层上形成多个第二开孔，并于多个所述第二开孔上形成一第一屏蔽。

2.如权利要求1所述的封装方法，其中该步骤(a)前还包含步骤：

形成一第一凹槽于该导热结构的一边缘处；

提供一第一载体及该电子组件，其中该电子组件的一侧包含至少一第一导接端及至少一第二导接端，且该导热结构及该电子组件的另一侧贴附于该第一载体；

提供一第一绝缘层于该导热结构的一侧及该电子组件的该侧；

移除该第一载体；

形成一第二凹槽于该导热结构的另一边缘处；

形成该第一金属层于该电子组件的该另一侧，并形成该第二金属层于该导热结构的另一侧；以及

形成一第二绝缘层于该第一金属层及该第二金属层上，而该第一绝缘层及该第二绝缘层形成该绝缘结构。

3.如权利要求2所述的封装方法，其中该步骤(a)中还包含步骤：

形成多个第三开孔于该半封装单元的该侧以暴露出该导热结构、该第一导接端及该第二导接端；

形成一第二金属重布线层于该第一绝缘层上，其中该第二金属重布线层连接该导热结构、该第一导接端及该第二导接端；以及

提供一第二载体于该第二金属重布线层上。

4.如权利要求3所述的封装方法，其中该步骤(b)中还包含步骤：

移除部分的该绝缘结构，以形成设置于该半封装单元的该边缘处的至少一个所述凹部。

5.如权利要求3所述的封装方法，其中该步骤(b)中还包含步骤：

移除该第二载体以暴露出该第二金属重布线层；

形成一第三金属层于该第二绝缘层上；以及

形成至少一第一薄膜于部分的该第三金属层上。

6.如权利要求5所述的封装方法，其中该步骤(c)中，该第三金属层被第一金属重布线层覆盖，其中该第一金属重布线层经由该第三金属层以连接该导热结构、该第一金属层及该第二金属层。

7.如权利要求5所述的封装方法，其中该步骤(c)中还包含步骤：移除该第一薄膜。

8.如权利要求5所述的封装方法，其中该步骤(d)中还包含步骤：

形成多个第四开孔于该第二金属重布线层上；

形成一第二屏蔽于该第二金属重布线层上，其中多个第五开孔形成于该第二屏蔽上，其中部分的该第二金属重布线层经由多个所述第五开孔而暴露；

形成一第三金属重布线层于该第二屏蔽上，其中该第三金属重布线层与部分的该第二金属重布线层相连接；以及

形成一第三屏蔽于该第三金属重布线层上，并形成多个第六开孔以暴露该第三金属重布线层。

9.如权利要求2所述的封装方法，其中该步骤(a)中还包含步骤：形成多个第三开孔于该半封装单元的该侧以暴露部分的该导热结构、该第一导接端及该第二导接端。

10.如权利要求9所述的封装方法，其中该步骤(b)中还包含步骤：

形成一第三金属层于该第二绝缘层上，以接触该导热结构、该第一金属层及该第二金属层；

形成一第四金属层于该第一绝缘层上，以接触该导热结构、该第一导接端及该第二导接端；

形成至少一第一薄膜于部分的该第三金属层上；以及

形成至少一第二薄膜于部分的该第四金属层上。