[发明专利]红外线温度传感器在审
申请号: | 201910098050.0 | 申请日: | 2019-01-31 |
公开(公告)号: | CN111504476A | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 王建勋;乐明;梁育志;古仁斌 | 申请(专利权)人: | 众智光电科技股份有限公司 |
主分类号: | G01J5/12 | 分类号: | G01J5/12;G01J5/08 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 王天尧;任默闻 |
地址: | 中国台湾新竹科学工业园*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 红外线 温度传感器 | ||
1.一种红外线温度传感器,其特征在于,包含:
一基板;
一红外线感测芯片,其设置于该基板,并与该基板电连接,其中该红外线感测芯片包含:
一第一热电堆感测元件,其接收一第一红外线以产生一第一感测信号;
一第二热电堆感测元件,其接收一第二红外线以产生一第二感测信号;
一硅基温度传感器,其感测一环境温度以产生一环境温度感测信号;以及
一信号处理器,其与该第一热电堆感测元件、该第二热电堆感测元件以及该硅基温度传感器电连接,以处理该第一感测信号、该第二感测信号以及该环境温度感测信号;
一盖体,其设置于该基板,且与该基板定义出一容置空间以容置该红外线感测芯片,该盖体包含一第一通孔、一遮蔽部以及一挡墙,其中该第一通孔对应于该第一热电堆感测元件,该遮蔽部对应于该第二热电堆感测元件,使该第二热电堆感测元件接收该遮蔽部所辐射的该第二红外线,以及该挡墙对应于该第一热电堆感测元件以及该第二热电堆感测元件之间;以及
一滤波片,其设置于该第一通孔的一端。
2.如权利要求1所述的红外线温度传感器,其特征在于,该盖体为红外线无法穿透的材料。
3.如权利要求1所述的红外线温度传感器,其特征在于,该盖体的材料为液晶聚合物。
4.如权利要求1所述的红外线温度传感器,其特征在于,该盖体的一内表面以及一外表面设有一金属层。
5.如权利要求4所述的红外线温度传感器,其特征在于,该金属层的材料为铜、铝、镍、铬或不锈钢。
6.如权利要求1所述的红外线温度传感器,其特征在于,该盖体包含一第二通孔以及一遮蔽元件,其中该第二通孔对应于该第二热电堆感测元件,且该遮蔽元件设置于该第二通孔的一端以作为该遮蔽部。
7.如权利要求6所述的红外线温度传感器,其特征在于,该遮蔽元件以及该滤波片的基材为相同材料。
8.如权利要求6所述的红外线温度传感器,其特征在于,该遮蔽元件包含一硅基材以及一遮蔽层,其设置于该硅基材的一表面。
9.如权利要求6所述的红外线温度传感器,其特征在于,该遮蔽元件以及该盖体以一导热胶接合。
10.如权利要求1所述的红外线温度传感器,其特征在于,该滤波片以及该盖体以一导热胶接合。
11.如权利要求1所述的红外线温度传感器,其特征在于,该盖体以及该基板以一导热胶接合。
12.如权利要求1所述的红外线温度传感器,其特征在于,该第一热电堆感测元件、该第一通孔以及该滤波片为多个,且该多个滤波片的滤除波段相异。
13.如权利要求1所述的红外线温度传感器,其特征在于,该挡墙至该红外线感测芯片的距离小于或等于100μm。
14.如权利要求1所述的红外线温度传感器,其特征在于,该挡墙至该红外线感测芯片的距离介于25μm至100μm。
15.如权利要求1所述的红外线温度传感器,其特征在于,该挡墙至该红外线感测芯片的距离介于50μm至75μm。
16.如权利要求1所述的红外线温度传感器,其特征在于,该挡墙的宽度大于或等于0.1mm。
17.如权利要求1所述的红外线温度传感器,其特征在于,该遮蔽部至该第二热电堆感测元件的距离大于或等于100μm。
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