[发明专利]一种片式非加热型氧传感器用芯片及制备方法在审
申请号: | 201910098170.0 | 申请日: | 2019-01-31 |
公开(公告)号: | CN111505081A | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 杨玉海;郭杰烽;陈珍强 | 申请(专利权)人: | 苏州工业园区传世汽车电子有限公司 |
主分类号: | G01N27/407 | 分类号: | G01N27/407;C25D7/00;C23C14/34;C23C14/18;C04B41/81;C04B41/50 |
代理公司: | 苏州简理知识产权代理有限公司 32371 | 代理人: | 朱亦倩 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 片式非 加热 传感 器用 芯片 制备 方法 | ||
1.一种片式非加热型氧传感器用芯片,包括固体电解质陶瓷层、设置于所述固体电解质陶瓷层上表面的外电极、及设置于所述固体电解质陶瓷层下表面的内电极与气体通道,其特征在于:所述外电极包括两次烧制形成的外引线电极部分与外催化电极部分,所述外引线电极部分与所述外催化电极部分为分体式结构。
2.根据权利要求1所述的片式非加热型氧传感器用芯片,其特征在于:所述片式非加热型氧传感器用芯片两侧设有外电极接触盘与内电极接触盘。
3.根据权利要求1所述的片式非加热型氧传感器用芯片,其特征在于:所述外催化电极部分外设有多孔防中毒涂层。
4.根据权利要求1所述的片式非加热型氧传感器用芯片,其特征在于:所述外引线电极部分表面设有陶瓷保护层。
5.根据权利要求1所述的片式非加热型氧传感器用芯片,其特征在于:所述内电极下表面设置有至少一层陶瓷基体层。
6.根据权利要求5所述的片式非加热型氧传感器用芯片,其特征在于:所述陶瓷基体层上设置有通孔,所述陶瓷基体层上表面设置有过孔引线,其下表面设置有内电极接触盘,所述过孔引线与所述内电极相连,并经所述通孔与所述内电极接触盘相连。
7.根据权利要求5所述的片式非加热型氧传感器用芯片,其特征在于:所述固体电解质陶瓷层与所述陶瓷基体层包括复数层陶瓷生胚。
8.根据权利要求1-7中任一项所述片式非加热型氧传感器用芯片的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
1)将复数层陶瓷生胚在温等静压机中压制,制得固体电解质陶瓷层与陶瓷基体层;
2)在所述固体电解质陶瓷层上表面采用丝网印刷工艺,依次印刷外引线电极部分与陶瓷保护层;
3)在步骤2)的基础上,在所述固体电解质陶瓷层下表面采用丝网印刷工艺,依次印刷内电极与烧失层,制得层叠陶瓷层;
4)在所述陶瓷基体层上冲通孔,然后在所述通孔两侧印刷过孔引线与内电极接触盘,制得层叠陶瓷基体层;
5)将步骤3)与步骤4)中制得的层叠陶瓷层与层叠陶瓷基体层层叠在一起,在温等静压机中压制,制得压制品;
6)将压制品在排胶炉中排胶;
7)排胶后,在程控高温炉中烧制,制得芯片共烧部分;
8)在外电极侧需要制备外催化电极部分采用非共烧工艺制备外催化电极部分;
9)在步骤8)中所述外催化电极部分提拉陶瓷浆料,并经烧结,形成多孔防中毒涂层。
9.根据权利要求8中所述片式非加热型氧传感器用芯片的制备方法,其特征在于:步骤8)中所述非共烧工艺包括二次高温烧结制备工艺、真空溅镀工艺、电镀工艺。
10.根据权利要求1-7中任一项所述片式非加热型氧传感器用芯片的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
1)将复数层陶瓷生胚在温等静压机中压制,制得固体电解质陶瓷层与陶瓷基体层;
2)在所述固体电解质陶瓷层上表面采用丝网印刷工艺,依次印刷外引线电极部分、多孔固体电解质基体及陶瓷保护层;
3)在步骤2)的基础上,在所述固体电解质陶瓷层下表面采用丝网印刷工艺,依次印刷内电极与烧失层,制得层叠陶瓷层;
4)在所述陶瓷基体层上冲通孔,然后在所述通孔两侧印刷过孔引线与内电极接触盘,制得层叠陶瓷基体层;
5)将步骤3)与步骤4)中制得的层叠陶瓷层与层叠陶瓷基体层层叠在一起,在温等静压机中压制,制得压制品;
6)将压制品在排胶炉中排胶;
7)排胶后,在程控高温炉中烧制,制得芯片共烧部分;
8)将多孔固体电解质基体吸附饱和氯铂酸溶液,使贵金属沉积在多孔固体电解质中,在1000℃以下按照升温曲线烧制,得到立体网状结构的外催化电极部分;
9)在步骤8)中所述外催化电极部分提拉陶瓷浆料,并经烧结,形成多孔防中毒涂层。
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