[发明专利]自对准锗硅HBT器件的制造方法有效
| 申请号： | 201910098256.3 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN109887996B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 周正良 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/161 | 分类号： | H01L29/161;H01L21/331;H01L29/737 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 对准 hbt 器件 制造 方法 | ||
1.一种自对准锗硅HBT器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一，在形成集电极后，淀积氧化硅-多晶硅-氧化硅叠层；
步骤二，用发射极窗口光刻和干法刻蚀，停在底层氧化硅上；
步骤三，湿法刻蚀去除有源区的氧化硅，在多晶硅下形成底切，用非选择性的外延成长形成HBT的基区；所述底切宽度大于200埃，留存在多晶硅表面的氧化硅厚度大于600埃；
步骤四，淀积平坦化的有机介质；
步骤五，回刻有机介质和多晶硅，去除介质上表面的多晶硅，并对侧墙的多晶硅回刻，形成D型侧墙；多晶硅侧墙顶部要比介质顶部低500埃以上；
步骤六，淀积介质层，再用回刻方法形成侧墙；
步骤七，湿法去除发射极窗口的氧化硅并对硅表面清洗后，淀积发射极多晶硅，光刻和干法刻蚀发射极多晶硅，形成HBT的发射极；
步骤八，淀积氧化硅，回刻形成发射极多晶硅外侧墙，光刻和干法刻蚀基极多晶硅，形成器件基极。
2.如权利要求1所述的自对准锗硅HBT器件的制造方法，其特征在于，步骤一中，氧化硅-多晶硅-氧化硅叠层的厚度分别为：350～500埃、500埃和1000～1200埃。
3.如权利要求1所述的自对准锗硅HBT器件的制造方法，其特征在于，步骤二中，发射极窗口的尺寸在0.28～0.35微米。
4.如权利要求1所述的自对准锗硅HBT器件的制造方法，其特征在于，步骤六中，所述介质层为氧化硅，厚度为500～800埃。
5.如权利要求1所述的自对准锗硅HBT器件的制造方法，其特征在于，步骤六中，所述介质层为氧化硅-多晶硅-氧化硅叠层；厚度分别为150埃、200埃和300埃。
6.如权利要求1所述的自对准锗硅HBT器件的制造方法，其特征在于，步骤六中，干法刻蚀要在底部留存100埃的氧化硅。
7.如权利要求1所述的自对准锗硅HBT器件的制造方法，其特征在于，步骤八中，淀积氧化硅的厚度为500～1000埃。
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