[发明专利]采用非选择性外延的自对准锗硅HBT器件的制造方法有效
| 申请号： | 201910098259.7 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN109887843B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 周正良 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/737;H01L29/16 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 采用 选择性 外延 对准 hbt 器件 制造 方法 | ||
1.一种采用非选择性外延的自对准锗硅HBT器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一，在形成集电极后，光刻和刻蚀形成锗硅外延窗口，用低温非选择性外延形成锗硅层，然后淀积氧化硅-多晶硅-氧化硅叠层；
步骤二，用牺牲发射极窗口光刻和干法刻蚀，停在锗硅外延层上，窗口只打开外基区；
步骤三，淀积多晶硅并覆盖整个芯片表面和侧面，再淀积平坦化的有机介质，之后回刻有机介质和多晶硅；
步骤四，淀积氧化硅，并淀积平坦化的有机介质，之后回刻有机介质和氧化硅；
步骤五，刻蚀多晶硅，将外基区以外的多晶硅去除；
步骤六，淀积氧化硅并回刻形成内侧墙；
步骤七，湿法刻蚀和清洗后，淀积重掺砷多晶硅然后刻蚀多晶硅形成发射极；
步骤八，光刻和干法刻蚀基极多晶硅，然后淀积氧化硅并回刻形成发射极多晶硅侧墙。
2.如权利要求1所述的采用非选择性外延的自对准锗硅HBT器件的制造方法，其特征在于，步骤一中，氧化硅-多晶硅-氧化硅叠层中氧化硅、多晶硅、氧化硅的厚度分别为：200埃、2000埃和500～800埃。
3.如权利要求1所述的采用非选择性外延的自对准锗硅HBT器件的制造方法，其特征在于，所述步骤三中，淀积多晶硅的厚度为500埃。
4.如权利要求1所述的采用非选择性外延的自对准锗硅HBT器件的制造方法，其特征在于，所述步骤三中，回刻有机介质和多晶硅，直到多晶硅的高度比牺牲发射极窗口多晶硅低1000埃以上。
5.如权利要求1所述的采用非选择性外延的自对准锗硅HBT器件的制造方法，其特征在于，所述步骤四中，淀积氧化硅厚度为500埃以上，有机介质厚度在2000埃。
6.如权利要求1所述的采用非选择性外延的自对准锗硅HBT器件的制造方法，其特征在于，所述步骤四中，回刻时去除有机介质和氧化硅，露出多晶硅表面。
7.如权利要求1所述的采用非选择性外延的自对准锗硅HBT器件的制造方法，其特征在于，所述步骤五中，干法刻蚀去除多晶硅，并停在氧化硅上。
8.如权利要求1所述的采用非选择性外延的自对准锗硅HBT器件的制造方法，其特征在于，步骤六中淀积氧化硅的厚度为500埃。
9.如权利要求1所述的采用非选择性外延的自对准锗硅HBT器件的制造方法，其特征在于，步骤七中淀积重掺砷多晶硅的厚度为800～1200埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
