[发明专利]锗硅异质结双极型三极管器件的制造方法

权利要求书

1.一种锗硅异质结双极型三极管器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，在形成集电极和低温生长锗硅外延层后，淀积氧化硅-多晶硅-氧化硅叠层，用牺牲发射极窗口光刻和干法刻蚀，停在底层氧化硅上，淀积氧化硅及回刻后形成侧墙；

步骤二，用湿法刻蚀去除底部的全部氧化硅，之后侧墙上有氧化硅留存，底部氧化硅形成有氧化硅足形留存；

步骤三，选择性外延成长形成HBT的多晶或单晶外基区；

步骤四，淀积一层氧化硅，将足形留存的氧化硅的侧面填到盖过外基区，然后进行外基区离子注入；

步骤五，再淀积一层氧化硅；

步骤六，涂布一层平坦化有机介质，之后回刻有机介质和氧化硅，将多晶硅顶层的有机介质和氧化硅去除，其他区域还有有机介质保留；

步骤七，干法回刻牺牲发射极多晶硅，停在氧化硅上；

步骤八，在形成器件发射极和基极后，再淀积氧化硅，回刻形成发射极和基极多晶硅外侧墙。

2.如权利要求1所述的锗硅异质结双极型三极管器件的制造方法，其特征在于，在步骤七后还包括湿法刻蚀和清洗发射极窗口，再淀积N型多晶硅的步骤。

3.如权利要求1所述的锗硅异质结双极型三极管器件的制造方法，其特征在于，在步骤七后还包括湿法刻蚀和清洗发射极窗口，再淀积非掺杂多晶硅然后N型离子注入的步骤。

4.如权利要求1所述的锗硅异质结双极型三极管器件的制造方法，其特征在于，若步骤七有多晶硅栅栏存在，则和淀积的多晶硅共同形成发射极多晶硅，然后光刻和刻蚀形成发射极。

5.如权利要求1所述的锗硅异质结双极型三极管器件的制造方法，其特征在于，步骤一中，氧化硅-多晶硅-氧化硅叠层的厚度分别为：200埃、1500～2500埃和500～1000埃。

6.如权利要求1所述的锗硅异质结双极型三极管器件的制造方法，其特征在于，步骤一中，用牺牲发射极窗口光刻和干法刻蚀后，发射极窗口的尺寸范围是0.16～0.24微米。

7.如权利要求1所述的锗硅异质结双极型三极管器件的制造方法，其特征在于，步骤一中，淀积氧化硅的厚度为800埃，使用干法回刻去除部分氧化硅，在底部氧化硅留存在100埃，侧面形成500埃的氧化硅侧墙。

8.如权利要求1所述的锗硅异质结双极型三极管器件的制造方法，其特征在于，步骤二中，侧面的氧化硅留存厚度为200埃，底部足形留存距多晶硅边缘为500埃。

9.如权利要求1所述的锗硅异质结双极型三极管器件的制造方法，其特征在于，步骤四中，淀积氧化硅的厚度为300埃，离子注入剂量在1E15CM^-2以上。

10.如权利要求1所述的锗硅异质结双极型三极管器件的制造方法，其特征在于，步骤五中淀积的氧化硅层和步骤四中淀积的氧化硅层叠加的厚度为800埃。

11.如权利要求1所述的锗硅异质结双极型三极管器件的制造方法，其特征在于，步骤六中，涂布平坦化有机介质厚度为1500～2500埃，平坦化有机介质在牺牲发射极顶端的厚度小于在外基区的厚度。

12.如权利要求1所述的锗硅异质结双极型三极管器件的制造方法，其特征在于，步骤七中，留存的氧化硅厚度为150埃。

13.如权利要求5所述的锗硅异质结双极型三极管器件的制造方法，其特征在于，步骤八中，淀积氧化硅的厚度为500～1500埃。