[发明专利]半导体器件及其封装方法有效

专利信息
申请号: 201910098756.7 申请日: 2019-01-31
公开(公告)号: CN110300494B 公开(公告)日: 2022-05-24
发明(设计)人: 李湛明;刘雁飞;傅玥;吴伟东 申请(专利权)人: 苏州量芯微半导体有限公司
主分类号: H05K1/18 分类号: H05K1/18;H05K13/04
代理公司: 北京久诚知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11542 代理人: 余罡
地址: 215125 江苏省苏州市中国(江苏)自由*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 及其 封装 方法
【权利要求书】:

1.一种封装在印刷电路板PCB上的半导体器件,其特征在于,包括:

金属接触焊点位于半导体器件的底面上,所述底面大部分面对PCB;所述PCB上布置有金属线,并且所述金属接触焊点与所述PCB中相应的金属线焊接在一起;所述金属接触焊点包括源极金属接触焊点,在PCB中与所述源极金属接触焊点焊接的金属线为源极焊点;

在所述PCB中源极焊点延伸出所述半导体器件覆盖所述PCB的区域,其中,所述源极焊点通过焊料与所述半导体器件的至少一个垂直面和背面焊接在一起。

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述PCB中源极焊点与所述半导体器件的一个垂直面和整个背面焊接在一起。

3.根据权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,包括:位于所述半导体器件的背面之上的金属,所述金属与所述PCB中源极焊点焊接在一起。

4.根据权利要求3所述的半导体器件,其特征在于,所述金属覆盖所述背面的全部。

5.根据权利要求3所述的半导体器件,其特征在于,所述金属覆盖所述背面的一部分。

6.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述焊料与所述半导体器件的另一个垂直面之间距离为设定距离;所述另一个垂直面为与所述焊料接触的一个垂直面的对面。

7.根据权利要求6所述的半导体器件,其特征在于,所述设定距离为所述半导体器件厚度的1~2倍。

8.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述半导体器件包括GaN半导体器件。

9.根据权利要求8所述的半导体器件,其特征在于,所述GaN半导体器件包括高电子迁移率晶体管HEMT器件。

10.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述半导体器件通过表面组装技术和所述PCB焊接在一起。

11.根据权利要求10所述的半导体器件,其特征在于,所述表面组装技术包括基板栅格阵列版式、球状引脚栅格阵列版式和四方扁平无引线版式中的至少一种。

12.一种半导体器件的封装方法,其特征在于,包括:

提供具有金属线的印刷电路板PCB;所述金属线与所述半导体器件背面上的金属接触焊点位置相对应,所述金属接触焊点包括源极金属接触焊点,在PCB中与所述源极金属接触焊点焊接的金属线为源极焊点,所述PCB中源极焊点延伸出所述半导体器件覆盖所述PCB的区域之外;

焊接所述半导体器件的金属接触焊点与所述PCB中相应的金属线;

对所述PCB中的源极焊点上涂抹焊料,以保证所述焊料与所述半导体器件的至少一个垂直面和背面得到接触。

13.根据权利要求12所述的封装方法,其特征在于,向所述PCB中源极焊点上涂抹焊料,以保证所述焊料与所述半导体器件的一个垂直面和背面接触。

14.根据权利要求12所述的封装方法,其特征在于,在所述半导体器件的背面之上布置金属。

15.根据权利要求12所述的封装方法,其特征在于,所述半导体器件包括GaN半导体器件。

16.根据权利要求15所述的封装方法,其特征在于,所述金属覆盖所述背面的全部。

17.根据权利要求15所述的封装方法,其特征在于,所述金属覆盖所述背面的一部分。

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