[发明专利]一种改进型室温高灵敏SOS衬底太赫兹检测器及其制备方法

权利要求书

1.一种改进型室温高灵敏SOS衬底太赫兹检测器，其特征在于，该检测器以硅基SOS基片作为检测器的衬底，所述衬底上反应离子刻蚀的硅探测微桥，所述硅探测微桥两端连接金薄膜电极；其中：

所述衬底中顶层硅为N型掺杂中阻硅，其电阻率2.5-10 ohm.cm；

所述硅探测微桥的厚度为100-200nm；

所述金薄膜电极的引线走向与检测信号的极化方向一致。

2.一种权利要求1 所述改进型室温高灵敏SOS衬底太赫兹检测器的制备方法,其特征在于，该方法包括如下步骤：

步骤1：通过硅基衬底的清洗工艺对SOS基片进行清洗；

步骤2：通过光刻工艺，经过光刻板掩膜，在SOS基片上复制上图形；

步骤3：通过反应离子刻蚀工艺在SOS基片上刻蚀硅探测微桥；

步骤4：通过磁控溅射工艺在SOS基片上溅射金薄膜，并通过标准剥离工艺，将金电极制备在SOS基片上。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1具体包括：

A1：用溶液A在沸腾状态下，浸泡SOS基片10min；所述溶液A为NH₃.H₂O、H₂O₂和H₂O混合溶液，其体积比NH₃.H₂O: H₂O₂: H₂O=1:2:5；其中，所述NH₃.H₂O、H₂O₂为分析纯规格；

A2：用溶液B在沸腾状态下，浸泡SOS基片10min；所述溶液B为HCl、H₂O₂和H₂O混合溶液，其体积比HCl: H₂O₂: H₂O=1:2:7；其中，所述HCl、H₂O₂为分析纯规格。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述硅探测微桥的尺寸为宽度5-20μm，长度为100-1000μm。