[发明专利]一种双极集成电路的隔离结构及隔离结构的形成方法

权利要求书

1.双极集成电路的隔离结构，其特征在于,包括成型在集成电路隔离区的深槽和填充在所述深槽内的环氧树脂隔离材料；所述深槽的深度穿过介质层、外延层至衬底或者要求的深度，所述外延层的下表面与所述衬底的上表面接触；

所述环氧树脂隔离材料为光敏环氧树脂隔离材料，所述光敏环氧树脂隔离材料填满在隔离槽和所述介质层的上表面上并在填满在所述介质层的上表面上的光敏环氧树脂隔离材料开设有若干接触孔，所述接触孔穿过所述介质层露出所述外延层的上表面；在每一接触孔内填充有金属导电材料作为金属布线；所述金属布线布满在每一接触孔外围的光敏环氧树脂隔离材料上表面上形成金属布线。

2.双极集成电路的隔离结构，其特征在于,包括成型在集成电路隔离区的深槽和填充在所述深槽内的环氧树脂隔离材料；所述深槽的深度穿过介质层、外延层至衬底或者要求的深度，所述外延层的下表面与所述衬底的上表面接触；所述环氧树脂隔离材料为非光敏环氧树脂隔离材料，所述非光敏环氧树脂隔离材料仅填满在隔离槽里，介质层的上表面上没有覆盖非光敏环氧树脂，在所述介质层上开设有若干接触孔，在每一接触孔内填充有金属导电材料作为金属布线。

3.双极集成电路的隔离结构，其特征在于,包括成型在集成电路隔离区的深槽和填充在所述深槽内的环氧树脂隔离材料；所述深槽的深度穿过介质层、外延层至衬底或者要求的深度，所述外延层的下表面与所述衬底的上表面接触；在所述介质层上开设有若干接触孔，所述接触孔穿过所述介质层露出所述外延层的上表面；在每一接触孔内填充有金属导电材料作为第一金属布线；所述环氧树脂隔离材料为非光敏环氧树脂隔离材料，所述非光敏环氧树脂隔离材料填满隔离槽并覆盖在所述介质层的上表面上并将第一金属布线露出来，在所述非光敏环氧树脂隔离材料的上表面设置有将第一金属布线导电连接的第二金属布线。

4.一种权利要求1所述的双极集成电路的隔离结构的形成方法，包括如下步骤：

(1)在晶圆正面形成若干集成电路，相邻集成电路之间通过集成电路隔离区隔离；

(2)在每一集成电路隔离区采用光刻方法和蚀刻方法成型有一深槽，所述深槽的深度穿过晶圆的介质层、外延层至衬底或者要求的深度；

(3)在每一深槽内填充环氧树脂隔离材料对相邻集成电路形成隔离；

步骤(3)中，所述环氧树脂隔离材料为光敏环氧树脂隔离材料，还包括如下步骤：

(3.1)在所述介质层的上表面上填满所述光敏环氧树脂隔离材料；

(3.2)在填满在所述介质层的上表面上的光敏环氧树脂隔离材料开设有若干接触孔，所述接触孔穿过所述介质层露出所述外延层的上表面；

(3.3)在每一接触孔内填充有金属导电材料作为金属布线；所述金属布线布满在每一接触孔外围的光敏环氧树脂隔离材料上表面上形成金属布线。

5.一种权利要求2所述的双极集成电路的隔离结构的形成方法，包括如下步骤：

(1)在晶圆正面形成若干集成电路，相邻集成电路之间通过集成电路隔离区隔离；

(2)在每一集成电路隔离区采用光刻方法或者蚀刻方法成型有一深槽，所述深槽的深度穿过晶圆的介质层、外延层至衬底或者要求的深度；

(3)在每一深槽内填充环氧树脂隔离材料对相邻集成电路形成隔离；

步骤(3)中，所述环氧树脂隔离材料为非光敏环氧树脂隔离材料，还包括如下步骤：

(3.1a)在隔离槽里和介质层的上表面上填满所述非光敏环氧树脂隔离材料；

(3.2a)研磨掉所述集成电路隔离区以外的非光敏环氧树脂隔离材料，将所述介质层露出来；

(3.3a)在所述介质层上开设有若干接触孔；

(3.4a)在每一接触孔内填充有金属导电材料作为金属布线；所述金属布线布满在每一接触孔外围的介质层的上表面上形成金属布线。

6.一种权利要求3所述的双极集成电路的隔离结构的形成方法，包括如下步骤：

(1)在晶圆正面形成若干集成电路，相邻集成电路之间通过集成电路隔离区隔离；

(2)在每一集成电路隔离区采用光刻方法和蚀刻方法成型有一深槽，所述深槽的深度穿过晶圆的介质层、外延层至衬底或者要求的深度；

(3)在每一深槽内填充环氧树脂隔离材料对相邻集成电路形成隔离；

步骤(3)中，所述环氧树脂隔离材料为非光敏环氧树脂隔离材料，还包括如下步骤：

(3.1b)做所述介质层上开设若干接触孔；

(3.2b)在接触孔里填充金属导电材料；

(3.3b)在隔离槽里和介质层的上表面上填满所述非光敏环氧树脂隔离材料；

(3.4b)研磨晶圆表面的环氧树脂，将金属导电材料露出来；

(3.5b)做所述非光敏环氧树脂的表面设置有将第一金属布线导电连接的第二金属布线。