[发明专利]Ba2M(C3N3O3)2化合物,其晶体及晶体的制备方法和用途有效
申请号: | 201910100463.8 | 申请日: | 2019-01-31 |
公开(公告)号: | CN111499588B | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 夏明军;李如康;孟祥鹤 | 申请(专利权)人: | 中国科学院理化技术研究所 |
主分类号: | C07D251/32 | 分类号: | C07D251/32;C30B29/54;C30B9/12;C30B11/00;G02B5/30 |
代理公司: | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人: | 刘元霞;黄海丽 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | ba2m c3n3o3 化合物 晶体 制备 方法 用途 | ||
1.Ba2Pb(C3N3O3)2的晶体,其特征在于,所述晶体为中心对称的结构,属于三方晶系,空间群是所述晶体具有下表所示的晶体参数,
2.权利要求1所述的晶体,其特征在于,所述Ba2Pb(C3N3O3)2具有如图2所示的粉末XRD图谱。
3.权利要求1或2所述晶体的制备方法,其特征在于,包括:
方法一、高温熔体自发结晶法:
将BaX2、PbX、M1OCN以及任选的助熔剂混合,加热至熔化得到高温熔体,或者将Ba2Pb(C3N3O3)2及任选地助熔剂升温至熔化得到高温熔体,然后在该温度下保温一定时间,随后以0.5-10℃/h的降温速率降至室温,得到所述晶体;
或者,方法二、坩埚下降法
将BaX2、PbX、M1OCN和助熔剂的混合物放置于生长装置中,或者将Ba2Pb(C3N3O3)2放置于生长装置中,加热升温至反应器中的原料全部熔化,保温一定时间,然后使晶体生长装置以0.01mm-25mm/h的下降速率垂直下降,得到所述晶体;
其中,方法一、方法二中助熔剂相同或不同,彼此独立地选自卤化物或者氰酸盐中的一种或两种。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,方法一、方法二中,所述升温采用匀速升温。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述升温速率为1-35℃/h。
6.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,方法一中降温速率为0.5-5℃/h。
7.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,方法二中下降速率为0.05mm-20mm/h。
8.权利要求1或2所述晶体在光学领域、医疗领域、通讯微加工领域中的应用。
9.根据权利要求8所述的应用,其特征在于,所述晶体用于制备光学起偏器,光束位移器,环形器,光隔离器或在光学调制器。
10.根据权利要求8所述的应用,其特征在于,所述晶体用于制作格兰泰勒棱镜,渥拉斯顿棱镜和洛匈棱镜。
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