[发明专利]Ba2M(C3N3O3)2化合物,其晶体及晶体的制备方法和用途有效

专利信息
申请号: 201910100463.8 申请日: 2019-01-31
公开(公告)号: CN111499588B 公开(公告)日: 2022-04-01
发明(设计)人: 夏明军;李如康;孟祥鹤 申请(专利权)人: 中国科学院理化技术研究所
主分类号: C07D251/32 分类号: C07D251/32;C30B29/54;C30B9/12;C30B11/00;G02B5/30
代理公司: 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 代理人: 刘元霞;黄海丽
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: ba2m c3n3o3 化合物 晶体 制备 方法 用途
【权利要求书】:

1.Ba2Pb(C3N3O3)2的晶体,其特征在于,所述晶体为中心对称的结构,属于三方晶系,空间群是所述晶体具有下表所示的晶体参数,

2.权利要求1所述的晶体,其特征在于,所述Ba2Pb(C3N3O3)2具有如图2所示的粉末XRD图谱。

3.权利要求1或2所述晶体的制备方法,其特征在于,包括:

方法一、高温熔体自发结晶法:

将BaX2、PbX、M1OCN以及任选的助熔剂混合,加热至熔化得到高温熔体,或者将Ba2Pb(C3N3O3)2及任选地助熔剂升温至熔化得到高温熔体,然后在该温度下保温一定时间,随后以0.5-10℃/h的降温速率降至室温,得到所述晶体;

或者,方法二、坩埚下降法

将BaX2、PbX、M1OCN和助熔剂的混合物放置于生长装置中,或者将Ba2Pb(C3N3O3)2放置于生长装置中,加热升温至反应器中的原料全部熔化,保温一定时间,然后使晶体生长装置以0.01mm-25mm/h的下降速率垂直下降,得到所述晶体;

其中,方法一、方法二中助熔剂相同或不同,彼此独立地选自卤化物或者氰酸盐中的一种或两种。

4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,方法一、方法二中,所述升温采用匀速升温。

5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述升温速率为1-35℃/h。

6.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,方法一中降温速率为0.5-5℃/h。

7.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,方法二中下降速率为0.05mm-20mm/h。

8.权利要求1或2所述晶体在光学领域、医疗领域、通讯微加工领域中的应用。

9.根据权利要求8所述的应用,其特征在于,所述晶体用于制备光学起偏器,光束位移器,环形器,光隔离器或在光学调制器。

10.根据权利要求8所述的应用,其特征在于,所述晶体用于制作格兰泰勒棱镜,渥拉斯顿棱镜和洛匈棱镜。

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