[发明专利]调节叶片的固定方法、显影设备、显影剂承载构件及磁体

说明书

本发明提供调节叶片的固定方法、显影设备、显影剂承载构件及磁体。基于输入的关于多个磁极当中的、当将调节叶片固定到显影框架构件时最靠近所述调节叶片定位的预定磁极的磁通密度的局部最大峰值的信息，确定由所述显影框架构件支撑的所述显影剂承载构件与固定到所述显影框架构件的所述调节叶片之间的间隙的目标值，所述多个磁极包括在固定地定位在显影剂承载构件内部并且被构造为生成用于使显影剂被所述显影剂承载构件承载的磁场的磁体中。

技术领域

本发明的方面总体涉及调节叶片的固定方法、显影设备、显影剂承载构件以及磁体。

背景技术

显影设备包括用作显影剂调节构件的调节叶片，显影剂调节构件对显影剂承载构件的表面上承载的显影剂的量(显影剂涂布量)进行调节，显影剂承载构件承载包含调色剂和载体的显影剂以使形成在图像承载构件上的静电潜像显影。调节叶片在显影剂承载构件的纵向方向上经由调节叶片与显影剂承载构件之间的预定间隙(在下文中被称为“SB间隙”)与显影剂承载构件相对地定位。SB间隙是指由显影框架构件支撑的显影剂承载构件与固定到显影框架构件的调节叶片之间的最短距离。调整SB间隙的大小导致调整被运送到显影剂承载构件面对图像承载构件的显影区域的显影剂。

在日本特开2012-145937号公报中讨论的显影设备中，具有多个磁极的磁体固定地定位在显影剂承载构件内部，并且相反极性的S2极(调节极)和N1极定位在调节叶片附近。调节极在相对于显影剂承载构件的旋转方向位于调节叶片的上游侧并且最靠近调节叶片的位置处，具有磁通密度的局部最大峰值。

各个磁体中包括的调节极的磁通密度的局部最大峰值可以在个体磁体之间具有变化。

例如，在调节极的磁通密度的局部最大峰值大的情况下，作用在相对于显影剂承载构件的旋转方向与调节叶片的上游侧接触的显影剂中包含的载体上的磁力的大小具有变大的倾向。因此，在调节极的磁通密度的局部最大峰值大于预定值的情况下，与在调节极的磁通密度的局部最大峰值是预定值的情况下相比，当将SB间隙的大小设置在相同值处时获得的显影剂涂布量变得更大。另一方面，在调节极的磁通密度的局部最大峰值小的情况下，作用在相对于显影剂承载构件的旋转方向与调节叶片的上游侧接触的显影剂中包含的载体上的磁力的大小具有变小的倾向。因此，在调节极的磁通密度的局部最大峰值小于预定值的情况下，与在调节极的磁通密度的局部最大峰值是预定值的情况下相比，当将SB间隙的大小设置在相同值处时获得的显影剂涂布量变得更小。

这样，在不考虑调节极的磁通密度的局部最大峰值而将SB间隙的大小设置在相同值处的情况下，由于针对各个个体磁体的调节极的磁通密度的局部最大峰值的变化，导致可能针对各个个体显影设备发生显影剂涂布量的变化。

此外，各个磁体中包括的调节极的磁通密度的局部最大峰位置可以针对各个个体磁体具有变化。类似地，在不考虑调节极的磁通密度的局部最大峰位置而将SB间隙的大小设置在相同值处的情况下，由于针对各个个体磁体的调节极的磁通密度的局部最大峰位置的变化，导致可能针对各个个体显影设备发生显影剂涂布量的变化。

发明内容

本发明的第一方面旨在通过考虑磁体中包括的调节极的磁通密度的局部最大峰值而调整SB间隙的大小，来防止或减小针对各个个体显影设备的显影剂涂布量的变化。