[发明专利]一种MAX相导电陶瓷材料及其制备方法

权利要求书

1.一种MAX相导电陶瓷材料，其特征在于，所述导电陶瓷材料的分子式表达为M₃A₂X，其中M为VB族过渡族金属V，Nb或Ta，A为VA族主族元素As或P，X为C或N；所述MAX相导电陶瓷材料具有六方晶系结构，晶胞由单层MX八面体层与双层MA三棱柱层交替堆叠而成。

2.如权利要求1所述的一种MAX相导电陶瓷材料，其特征在于，所述导电陶瓷材料的分子式表达为Nb₃As₂C，V₃As₂C，Nb₃P₂C或Ta₃P₂C。

3.如权利要求1所述的一种MAX相导电陶瓷材料，其特征在于，所述导电陶瓷材料的分子式表达为Nb₃As₂C。

4.一种MAX相导电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述导电陶瓷材料的分子式表达为M₃A₂X，制备方法包括以下步骤：

步骤一）将 M元素粉、A元素粉和石墨粉，按照3:2:1的比例称量，在惰性气氛下研磨；

步骤二）将混合均匀的粉末压片成型，在高温真空炉设备中进行初次煅烧，烧结温度不高于850℃，保温一段时间后自然冷却至室温；

步骤三）将经过初次煅烧后的材料重新研磨、压片，再在高温真空炉设备中进行二次煅烧，温度先升至900℃~1000℃，然后快速升温至1200℃~1350℃，保温一段时间后缓慢降温至室温，获得导电陶瓷材料成品。

5.如权利要求3所述的一种MAX相导电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤二）中烧结温度为750℃~850℃。

6.如权利要求3所述的一种MAX相导电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤二）中保温3~8小时。

7.如权利要求3所述的一种MAX相导电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤三）中用2~8小时将温度升温至1000℃。

8.如权利要求3所述的一种MAX相导电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤三）中温度达到1000℃后在300分钟内升温至1200℃~1350℃。

9.如权利要求3所述的一种MAX相导电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤三）中保温10-20小时，以低于3℃每分钟的冷却速率冷却至室温。