[发明专利]显示设备有效
申请号: | 201910100945.3 | 申请日: | 2019-01-31 |
公开(公告)号: | CN110288938B | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 桥本和幸;渡边英俊 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨;侯奇慧 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
1.一种显示设备,其特征在于,包括:
至少一个像素电路,所述至少一个像素电路包括:
发光二极管,具有第一电极及第二电极;
第一薄膜晶体管,耦接于所述发光二极管,所述第一薄膜晶体管具有第一端、第二端以及控制端,所述第一薄膜晶体管的所述第一端用于接收第一系统电压或第二自适应电压,所述第一薄膜晶体管的所述第二端耦接于所述发光二极管的所述第一电极,所述第一薄膜晶体管的所述控制端用于接收数据电压;
电容,耦合在所述第一薄膜晶体管的所述第一端和所述控制端之间;及
第一自适应电压源,耦接于所述第一薄膜晶体管,用以固定所述第一薄膜晶体管的所述第一端与所述第二端之间的电压,所述第一自适应电压源的第一节点耦接于所述发光二极管的所述第二电极,用于提供第一自适应电压,所述第一自适应电压源的第二节点耦接于所述第一薄膜晶体管的所述第二端;
其中:
所述第一薄膜晶体管是P型薄膜晶体管;及
所述第一系统电压和所述第二自适应电压高于所述第一自适应电压。
2.如权利要求1所述的显示设备,其特征在于,所述第一自适应电压源包括:
第一运算放大器,具有第一输入端,第二输入端及输出端,所述第一运算放大器的所述第一输入端耦接于所述第一薄膜晶体管的所述第二端,第一运算放大器的所述第二输入端用以接收参考电压,并且所述第一运算放大器的所述输出端耦接于所述发光二极管的所述第二电极以提供所述第一自适应电压。
3.如权利要求2所述的显示设备,其特征在于,所述像素电路还包括第二自适应电压源,用于提供所述第二自适应电压,所述第二自适应电压源包括:
恒压源,具有第一端及第二端,所述恒压源的所述第一端耦接于所述第一薄膜晶体管的所述第一端,其中所述恒压源的所述第一端的电压高于所述恒压源的所述第二端的电压;及
第二运算放大器,具有第一输入端,第二输入端及输出端,所述第二运算放大器的所述第一输入端耦接于所述恒压源的所述第二端,所述第二运算放大器的所述第二输入端耦接于所述第一薄膜晶体管的所述第二端,及所述第二运算放大器的所述输出端耦接于所述第二运算放大器的所述第一输入端。
4.一种显示设备,其特征在于,包括:
至少一个像素电路,所述至少一个像素电路包括:
发光二极管,具有第一电极及第二电极,所述发光二极管的所述第二电极用以接收第二系统电压;
第一薄膜晶体管,耦接于所述发光二极管,所述第一薄膜晶体管具有第一端、第二端以及控制端,所述第一薄膜晶体管的所述第二端耦接于所述发光二极管的所述第一电极,而所述第一薄膜晶体管的控制端用于接收数据电压;
电容,耦合在所述第一薄膜晶体管的所述第一端和所述控制端之间;及
第一自适应电压源,耦接于所述第一薄膜晶体管,用以固定所述第一薄膜晶体管的所述第一端与所述第二端之间的电压,所述第一自适应电压源的第一节点耦接于所述发光二极管的所述第一电极,所述第一自适应电压源的第二节点耦接所述第一薄膜晶体管的所述第一端,用以提供第一自适应电压;
其中:
所述第一薄膜晶体管是P型薄膜晶体管;及
所述第一自适应电压高于所述第二系统电压。
5.如权利要求4所述的显示设备,其特征在于,所述第一自适应电压源包括:恒压源,具有第一端及第二端,所述恒压源的所述第一端耦接于所述第一薄膜晶体管的所述第一端,其中所述恒压源的所述第一端的电压高于所述恒压源的所述第二端的电压;
第一运算放大器,具有第一输入端,第二输入端及输出端,所述第一运算放大器的所述第二输入端耦接于所述第一薄膜晶体管的所述第二端,及所述第一运算放大器的所述输出端耦接于所述第一运算放大器的所述第一输入端;及
开关,用以在所述恒压源的所述第二端和参考电压端之间建立电连接,所述参考电压端用以在所述像素电路的扫描期间提供第一参考电压,并且在所述像素电路的驱动期间在所述恒压源的所述第二端与所述第一运算放大器的所述输出端之间建立电连接。
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