[发明专利]一种全隔离结构9管SRAM存储单元及其读写操作方法

权利要求书

1.一种全隔离结构9管SRAM存储单元的读写操作方法，其特征在于，全隔离结构9管SRAM存储单元，包括由交叉耦合的一对反相器与写访问管T5、读访问管T6构成的6管SRAM存储单元，所述的反相器分别由晶体管T1、T2以及晶体管T3、T4组成；在所述交叉耦合的一对反相器中，所述的晶体管T1和晶体管T3为PMOS管，晶体管T2和晶体管T4为NMOS管，PMOS管与NMOS管的沟道宽度之比设计成2：1；写访问管T5的栅极连接写行位线WRWL，晶体管T1、T2的栅极与写访问管T5之间设置写访问管T7，写访问管T5的漏/源极分别连接写专用位线WBL与写访问管T7的漏/源极，写访问管T7栅极连接列字线CWL；读访问管T6的栅极连接读行字线RRWL，晶体管T3、T4的栅极与读访问管T6之间设置读隔离管T9，读访问管T6的漏/源极分别连接读专用位线RBL与读隔离管T9的漏极，读隔离管T9的源极连接下拉管T8的漏极，下拉管T8的源极接地，下拉管T8的栅极连接列字线CWL；包括以下步骤：

一、读操作；

读行字线RRWL和列字线CWL被置为高电平，读访问管T6导通，读隔离管T9的下拉管T8导通，内部数据存储点S1的数据经读隔离管T9反向放大后，通过访问管T6传输至读专用位线RBL送出存储单元；在读过程中，写行位线WRWL保持低电平，使写访问管T5始终保持关断，从而使内部数据存储点S2与写专用位线WBL隔离；

二、写操作；

在写操作之前，写专用位线WBL被写驱动电路置为需要写入的数值“1”或“0”，并在原有电平基础上增加或减小一个电压值ΔV，达到“1+ΔV”或“0-ΔV”，所述的电压值ΔV根据实际电路情况调整；使写行位线WRWL和列字线CWL被置为高电平，使写访问管T5和写访问管T7打开，从而通过写专用位线WBL上的电压驱动内部数据存储点S2电压保持或翻转，达到数据写入的目的；在写过程中，读访问管T6始终保持关断。

2.根据权利要求1所述的全隔离结构9管SRAM存储单元的读写操作方法，其特征在于：进行读操作之前，将读专用位线RBL预充电到电源电压VDD。

3.根据权利要求1所述的全隔离结构9管SRAM存储单元的读写操作方法，其特征在于：在存储阵列中，通过行译码器和列译码器，根据存储器读写端口的位宽n选择相应的n位存储单元，然后针对选中的存储单元进行后续的读写操作。