[发明专利]基板处理装置及方法、处理液排出方法、处理液交换方法有效
申请号: | 201910101381.5 | 申请日: | 2019-01-31 |
公开(公告)号: | CN110211897B | 公开(公告)日: | 2023-06-20 |
发明(设计)人: | 岩尾通矩;菊本宪幸;安田周一 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;崔炳哲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 排出 交换 | ||
1.一种基板处理装置,用于处理基板,其特征在于,
所述基板处理装置具有:
处理部,具有处理液供给喷嘴,从该处理液供给喷嘴向基板供给处理液来处理基板;
贮存部,贮存从处理液供给源供给的所述处理液;
送液配管,将贮存在所述贮存部中的所述处理液输送给所述处理液供给喷嘴;
流通配管,构成不同于所述送液配管的流路,使所述处理液在该流路内流通;
氧浓度计,安装在所述流通配管上,测定在所述流通配管内流通的所述处理液中所溶解的氧的浓度;
低氧流体供给管,与所述流通配管连通,将从低氧流体供给源供给的低氧流体输送给所述流通配管;
流量变更阀,安装在所述低氧流体供给管上,变更向所述流通配管供给的所述低氧流体的供给流量;以及
控制部,
所述控制部具有流量变更控制部,在排出所述流通配管内的所述处理液时,至少在到所述流通配管内被所述低氧流体充满为止的期间,所述流量变更控制部控制所述流量变更阀使得所述低氧流体被供给至所述流通配管。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板处理装置还具有安装在所述流通配管上并且输送在所述贮存部中贮存的处理液的泵,
所述流通配管的一端与设置于所述贮存部的用于送出处理液的送出口流路连接,另一端与设置于所述贮存部的处理液的返回口流路连接,从而形成使贮存在所述贮存部中的处理液在该流通配管内循环的循环路,
所述送液配管从所述流通配管的比所述氧浓度计的安装位置更靠下游侧的位置分支并与所述流通配管流路连接,经由所述流通配管将从所述贮存部输送来的所述处理液输送给所述处理液供给喷嘴。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述低氧流体供给管以该低氧流体供给管的低氧流体的供给口面向所述贮存部内的方式与所述贮存部流路连接,经由所述贮存部与所述流通配管连通,将从所述低氧流体供给源供给的低氧流体输送给所述流通配管。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板处理装置还具有:
排液配管,与所述贮存部流路连接,排出贮存在所述贮存部中的所述处理液;以及
排液阀,安装在所述排液配管上,开闭所述排液配管的流路,
所述控制部包括排液阀控制部,所述排液阀控制部开闭所述排液阀,并且在将贮存在所述贮存部中的所述处理液从所述贮存部排出的状态与不排出的状态之间进行切换控制。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述氧浓度计设置在从所述流通配管分支的旁通配管上。
6.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板处理装置还具有:
新液供给配管,与所述贮存部流路连接,向所述贮存部供给从所述处理液供给源供给的新的所述处理液;以及
新液供给阀,安装在所述新液供给配管上,开闭所述新液供给配管的流路,
所述控制部还包括新液供给控制部,
所述新液供给控制部开闭所述新液供给阀,在将从所述处理液供给源供给的新的所述处理液供给至所述贮存部的供给状态与不供给至所述贮存部的非供给状态之间进行切换控制。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,
所述流量变更控制部在从所述处理液供给源向所述贮存部供给新的所述处理液的状态下,变更所述流量变更阀的开闭状态来增加低氧流体的供给流量。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于,
所述低氧流体供给管的供给口位于所述贮存部的贮存空间内,
所述流量变更控制部在贮存于所述贮存部中的新的所述处理液的液面高于所述低氧流体供给管的所述供给口的高度后,变更所述流量变更阀的开闭状态来增加低氧流体的供给流量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造