[发明专利]一种提高DMOS器件雪崩性能的制造方法在审
| 申请号： | 201910101675.8 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN109671630A | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 朱勇华 | 申请（专利权）人： | 深圳市美浦森半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人： | 谭雪婷;谢亮 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 雪崩 介质层 注入能量 多晶 条栅 源极 多晶硅片 多晶硅条 高能离子 工艺加工 器件应用 有效解决 注入窗口 可控性 上光 淀积 光刻 线宽 沉积 制造 优化 | ||
1.一种提高DMOS器件雪崩性能的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、在多晶硅片上光刻多晶条栅，同时增加所述多晶条栅的宽度，形成栅极；
S2、在已形成的所述栅极缩短SOU区注入窗口间隙，进而形成源极；
S3、在已形成的所述源极沉积SP注入介质层；
S4、在已形成的所述介质层上增加SP注入能量。
2.根据权利要求1所述的提高DMOS器件雪崩性能的制造方法，其特征在于，所述步骤S1的具体工艺过程包括以下步骤：
S11、在整个硅晶片上生长多晶硅；
S12、在所述多晶硅上旋转涂敷正性光刻胶；
S13、进行曝光工艺，对需要形成的多晶硅条栅区域，通过半导体光刻自对准工艺增加曝光时间来增加多晶硅条栅宽度，进而光刻形成DMOS栅极。
3.根据权利要求2所述的提高DMOS器件雪崩性能的制造方法，其特征在于，所述步骤S11中多晶硅的生长方式为低压化学气相淀积。
4.根据权利要求2所述的提高DMOS器件雪崩性能的制造方法，其特征在于，所述步骤S13中的多晶硅条栅的宽度增加0.05-0.1微米。
5.根据权利要求1所述的提高DMOS器件雪崩性能的制造方法，其特征在于，所述步骤S2的具体工艺过程包括以下步骤：
S21、在已形成的多晶硅条栅上旋转涂敷正性光刻胶；
S22、进行曝光工艺，对需要形成的SOU区域增加曝光时间来缩短SOU区注入窗口间隙，进而形成DMOS源极。
6.根据权利要求5所述的提高DMOS器件雪崩性能的制造方法，其特征在于，所述步骤S22中SOU区注入窗口间隙缩短0.05-0.1微米。
7.根据权利要求1所述的提高DMOS器件雪崩性能的制造方法，其特征在于，所述步骤S3还包括执行降低介质层厚度和SOU区退火的操作。
8.根据权利要求7所述的提高DMOS器件雪崩性能的制造方法，其特征在于，所述步骤S3中介质层厚度降低至600-1000埃之间。
9.根据权利要求1所述的提高DMOS器件雪崩性能的制造方法，其特征在于，所述步骤S4还包括执行SP高能注入和退火的操作。
10.根据权利要求9所述的提高DMOS器件雪崩性能的制造方法，其特征在于，所述步骤S4中SP注入能量提高至130-160KEV。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
