[发明专利]一种高速大电流激光器驱动电路及其电流调制方法有效

专利信息
申请号: 201910102739.6 申请日: 2019-02-01
公开(公告)号: CN109638642B 公开(公告)日: 2020-01-17
发明(设计)人: 林福江;艾哈迈德·瓦哈巴;李喜 申请(专利权)人: 安徽传矽微电子有限公司;江苏科大亨芯半导体技术有限公司
主分类号: H01S5/042 分类号: H01S5/042
代理公司: 34144 合肥市泽信专利代理事务所(普通合伙) 代理人: 方荣肖
地址: 230088 安徽省合肥市高新区创*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 传统驱动电路 大电流激光器 驱动放大电路 电流调制 放大电路 驱动单元 驱动电路 主驱动 电阻 直接调制激光器 交叉耦合电容 编码调制 串联电阻 无源电感 下级电路 芯片成本 直接耦合 电容 引入 饱和区 调制器 输入管 正反馈 电路 芯片 应用 保证
【权利要求书】:

1.一种高速大电流激光器驱动电路,其特征在于,其接收两路高速差分数据信号Vin1、Vin2,输出一路差分驱动电压信号Vo;所述高速大电流激光器驱动电路包括两片直接耦合的驱动单元一和驱动单元二,每片驱动单元包括预驱动放大电路和主驱动放大电路;

所述预驱动放大电路包括:

NMOS管M1A

NMOS管M1B

电阻Rp1,其一端连接NMOS管M1A的漏端;

电阻Rp2,其一端连接NMOS管M1B的漏端;

电阻Rs1,其一端均连接电阻Rp1的另一端和电阻Rp2的另一端,电阻Rs1的另一端接地;

NMOS管M5,其栅端与漏端连接,所述NMOS管M5的漏端接外部参考电流源IB1

NMOS管M6,其栅端与漏端连接后还连接NMOS管M5的源端,NMOS管M6的源端接负电源Vss

NMOS管M7,其栅端与NMOS管M5的栅端连接,NMOS管M7的漏端均连接NMOS管M1A的源端和NMOS管M1B的源端;以及

NMOS管M8,其栅端与NMOS管M6的栅端连接,NMOS管M8的漏端连接NMOS管M7的源端,NMOS管M8的源端负电源Vss

所述主驱动放大电路包括:

NMOS管M2A,其栅端连接NMOS管M1B的漏端;

NMOS管M2B,其栅端连接NMOS管M1A的漏端;

电阻R1,其一端连接NMOS管M2A的漏端,其另一端接地;

电阻R2,其一端连接NMOS管M2B的漏端,其另一端接地;

电容CF1,其一端连接NMOS管M2A的栅端,其另一端连接NMOS管M2B的漏端;

电容CF2,其一端连接NMOS管M2B的栅端,其另一端连接连接NMOS管M2A的漏端;

NMOS管M9,其栅端与漏端连接,所述NMOS管M9的漏端接外部参考电流源IB2

NMOS管M10,其栅端与漏端连接后还连接NMOS管M9的源端,NMOS管M10的源端接负电源Vss

NMOS管M11,其栅端与NMOS管M9的栅端连接,NMOS管M11的漏端均连接NMOS管M2A的源端和NMOS管M2B的源端;以及

NMOS管M12,其栅端与NMOS管M10的栅端连接,NMOS管M12的漏端连接NMOS管M11的源端,NMOS管M12的源端负电源Vss

其中,所述驱动单元一的NMOS管M1A的栅端和NMOS管M1B的栅端分别作为高速差分数据信号Vin1的一对输入端口,所述驱动单元二的NMOS管M1A的栅端和NMOS管M1B的栅端分别作为高速差分数据信号Vin2的一对输入端口;所述驱动单元一的NMOS管M2A的漏端和所述驱动单元二的NMOS管M2A的漏端连接,且所述驱动单元一的NMOS管M2B的漏端和所述驱动单元二的NMOS管M2B的漏端连接后,分别作为差分驱动电压信号Vo的一对输出端口。

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