[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，具备：

具有主面以及背面的第1导电型的半导体基板；

配置在所述半导体基板的所述主面上的第1导电型的碳化硅半导体层；

配置在所述碳化硅半导体层内的第2导电型的终端区域；

覆盖所述终端区域的至少一部分的绝缘膜；

配置在所述碳化硅半导体层上且与所述碳化硅半导体层形成肖特基结的第1电极；

配置在所述半导体基板的所述背面上且与所述半导体基板形成欧姆接合的第2电极；和

配置在所述碳化硅半导体层上且包围所述第1电极的密封圈，

所述终端区域配置成从所述半导体基板的所述主面的法线方向观察包围所述碳化硅半导体层的表面的一部分，

所述终端区域包括：与所述碳化硅半导体层的所述表面相接的第2导电型的保护环区域；和配置成与所述保护环区域分离地包围所述保护环区域的周围的第2导电型的终端注入区域，

所述第1电极具有与所述碳化硅半导体层相接的面，

所述第1电极在与所述碳化硅半导体层相接的所述面的缘部与所述保护环区域相接，

所述密封圈经由配置在所述绝缘膜的开口形成在所述终端注入区域之上。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，

在从所述半导体基板的面内的中央朝向端部的方向上，所述开口中的所述密封圈的宽度比所述终端注入区域的宽度小。

3.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，

所述密封圈具备导电膜，

所述密封圈经由所述导电膜与所述终端注入区域连接。

4.根据权利要求3所述的半导体元件，其中，

在所述导电膜在所述碳化硅半导体层的所述表面相接的区域整体，配置所述终端注入区域。

5.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，

所述密封圈与所述终端注入区域相接。

6.根据权利要求5所述的半导体元件，其中，

在所述密封圈在所述碳化硅半导体层的所述表面相接的区域整体，配置所述终端注入区域。

7.根据权利要求3所述的半导体元件，其中，

所述导电膜具有与所述第1电极相同的结构。

8.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，

所述半导体元件还具备配置在所述第1电极上的表面电极。

9.根据权利要求8所述的半导体元件，其中，

所述表面电极具有与所述保护环区域相同的结构。

10.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，

所述终端区域在所述保护环区域和所述终端注入区域之间还包括FLR区域，

所述FLR区域包括配置成与所述保护环区域分离地包围所述保护环区域的周围的多个第2导电型的环。

11.根据权利要求10所述的半导体元件，其中，

所述FLR区域与所述终端注入区域分离地配置。

12.根据权利要求11所述的半导体元件，其中，

所述保护环区域、所述FLR区域以及所述终端注入区域在与所述半导体基板垂直的方向上具有同一浓度分配。

13.根据权利要求12所述的半导体元件，其中，

所述保护环区域、所述FLR区域以及所述终端注入区域的所述碳化硅半导体层中的第2导电型的杂质浓度为1×10²⁰cm^-3以上。

14.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，

所述半导体元件还具备第2导电型的阻挡区域，该第2导电型的阻挡区域配置在所述保护环区域的内侧且所述碳化硅半导体层的所述表面。