[发明专利]一种高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201910103281.6 | 申请日： | 2019-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN111524958B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 江怀慈;林胜豪;刘冠宏 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/207;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电子 迁移率 晶体管 | ||
1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包含：
缓冲层，设于基底上；
载流子运输层，设于该缓冲层上；
载流子供应层，设于该载流子运输层上，其中该载流子供应层包含铝的浓度梯度，且铝的浓度是朝该载流子运输层及该载流子供应层之间的交界降低；
栅极电极，设于该载流子供应层上；以及
源极电极以及漏极电极，设于该栅极电极两侧。
2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该缓冲层包含氮化镓。
3.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该载流子运输层包含非刻意掺杂氮化镓。
4.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该载流子供应层包含N型氮化铝镓。
5.如权利要求4所述的高电子迁移率晶体管，其中该载流子供应层包含硅或锗的掺质。
6.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该载流子供应层包含外延层。
7.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该载流子供应层的底部切齐该源极电极以及该漏极电极的底部。
8.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包含：
缓冲层，设于基底上；
载流子运输层，设于该缓冲层上；
载流子供应层，设于该载流子运输层上；
栅极电极，设于该载流子供应层上，其中该栅极电极包含上半部以及下半部且该上半部及该下半部包含不同材料，且该上半部包含金属且该下半部包含外延层；以及
源极电极以及漏极电极，设于该栅极电极两侧。
9.如权利要求8所述的高电子迁移率晶体管，其中该缓冲层包含氮化镓。
10.如权利要求8所述的高电子迁移率晶体管，其中该载流子运输层包含非刻意掺杂氮化镓。
11.如权利要求8所述的高电子迁移率晶体管，其中该载流子供应层包含N型氮化铝镓。
12.如权利要求8所述的高电子迁移率晶体管，其中该载流子供应层包含硅或锗的掺质。
13.如权利要求8所述的高电子迁移率晶体管，其中该载流子供应层包含外延层。
14.如权利要求8所述的高电子迁移率晶体管，其中下半部包含P型氮化铝镓。
15.如权利要求8所述的高电子迁移率晶体管，其中该下半部包含镁或锌的掺质。
16.如权利要求8所述的高电子迁移率晶体管，其中该下半部厚度小于该上半部厚度。
17.如权利要求8所述的高电子迁移率晶体管，其中该上半部侧壁切齐该下半部侧壁。
18.如权利要求8所述的高电子迁移率晶体管，其中该载流子供应层的底部切齐该源极电极以及该漏极电极的底部。
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