[发明专利]基于低剖面微带馈电结构的基片集成电偶极子天线及阵列

权利要求书

1.基于低剖面微带馈电结构的基片集成电偶极子天线，其特征在于：包括由上往下依次设置的顶部金属层(1)、第一介质层(2)、中间金属层(3)、第二介质层(4)、第三介质层(5)和底部金属层(6)；所述顶部金属层(1)上设有一对电偶极子，所述中间金属层(3)为接地层，中间金属层(3)上蚀刻有激励印制电偶极子的矩形槽(9)，第一组电偶极子(7)和第二组电偶极子(8)与中间金属层(3)之间分别通过贯穿第一介质层(2)的第一对金属化半盲孔(10)和第二对金属化半盲孔(11)连接；蚀刻于中间金属层(3)上的矩形槽(9)位于连接第一组电偶极子(7)、第二组电偶极子(8)和中间金属层(3)的金属化半盲孔中间；所述天线还包括低剖面微带馈电结构，低剖面微带馈电结构包括中间金属层(3)、第二介质层(4)、第三介质层(5)和底部金属层(6)，其中，底部金属层(6)上设有一个空间上与矩形槽(9)垂直的细微带线(12)，细微带线(12)的中心和矩形槽(9)中心在垂直方向上重合；细微带线(12)一端开路，一端接50欧姆微带线(13)，中间金属层(3)作为辐射单元和微带馈电结构的公共地；

所述天线在一对电偶极子中间设置一个额外结构(14)用于拓宽带宽以及改善带内增益平坦度；所述额外结构(14)由一个位于顶部金属层(1)的矩形贴片(15)以及连接这个矩形贴片(15)和中间金属层(3)的四个金属化半盲孔构成，四个金属化半盲孔位于靠近矩形贴片(15)的四个角的位置。

2.根据权利要求1所述的基于低剖面微带馈电结构的基片集成电偶极子天线，其特征在于：所述第一介质层(2)的厚度为四分之一导波波长，所述第二介质层(4)为半固化粘贴介质层，金属化半盲孔结构(20)均位于第一介质层(1)。

3.一种基于低剖面微带馈电结构的基片集成磁电偶极子阵列天线结构，其特征在于：所述阵列天线结构包括四个磁电偶极子单元，所述磁电偶极子单元排列成两行两列，每行或者每列的两个磁电偶极子单元的激励端口分别连接至一个一分二的微带功率分配器的输出端口，两个一分二的微带功率分配器的输入端口分别连接至另一个一分二的微带功率分配器的输出端口；

所述阵列天线结构的规模可以扩大到2N×2N(N≥2)；

所述阵列天线结构包括通过将四个2N-1×2N-1(N≥2)阵列按照每行每列各两个进行排列，然后用“工”字形的微带功率分配器将这四个2N-1×2N-1(N≥2)阵列连接起来，每个2N-1×2N-1(N≥2)阵列的激励端口分别连接至“工”字形功率分配器的输出端口进行扩大规模。