[发明专利]一种焊接陶瓷劈刀有效
申请号: | 201910103749.1 | 申请日: | 2019-02-03 |
公开(公告)号: | CN109860067B | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 郑镇宏;邱基华;童文欣 | 申请(专利权)人: | 潮州三环(集团)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;B23K20/10 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 宋静娜;郝传鑫 |
地址: | 515646 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 焊接 陶瓷 劈刀 | ||
本发明公开了一种焊接陶瓷劈刀。所述劈刀包括本体、位于本体一端的焊嘴和孔,所述孔沿本体的纵轴和焊嘴延伸,所述焊嘴的尖端表面由交替分布的凸出部分和凹陷部分组成,且所述凸出部分以焊嘴为几何中心呈正六边形阵列排布,所述凸出部分的最高点和凹陷部分的最低点形成高度差,所述高度差为5‑20μm。本发明的劈刀的表面结构中设计有突出部分和凹陷部分,可增加耐磨面积,且凸出部分呈正六边形阵列排布,能够提高凸出部分的稳定性,在使用过程中不易崩缺断裂,延长使用寿命。本发明中凸出部分的最高点和凹陷部分的最低点之间的高度差较大,有利于提高劈刀尖端的耐磨性和引线键合强度;劈刀表面光洁度高,有效减少劈刀尖端的留金程度。
技术领域
本发明涉及劈刀技术领域,具体涉及一种焊接陶瓷劈刀。
背景技术
焊接陶瓷劈刀是一种具有垂直方向孔的轴对称的陶瓷工具,属于精密微结构陶瓷部件。焊接陶瓷劈刀是微电子加工领域在引线键合过程中使用的焊线工具,在封装技术中发挥了极其重要的作用。
JP62-190343U公开了一种提高引线键合强度的劈刀,焊接劈刀的焊嘴中分布有孔,焊嘴的尖端表面由交替分布的凸出部分和凹陷部分组成,凸出部分的最高点到凹陷部分的最低点的高度为1.5-5μm,相邻凸出部分中间点的横向距离Y为3-10μm。在劈刀的顶端面形成圆形的凹凸,在顶端面的附着物变少,使寿命延长,但凸出部分的最高点到凹陷部分的最低点的高度差较浅,不耐磨损,且在使用铜线等比金线硬的焊丝的情况下,接合强度的降低或磨损容易导致劈刀的寿命缩短。
CN103658963B公开了一种焊接劈刀,具有进行丝焊的顶端面的本体部,顶端面具有微小的凹凸形状,所述凹凸形状中的凸部顶端的尖比凹部顶端的尖小,在垂直于所述顶端面的方向观察时,凸部面积比凹部面积大,所述顶端面的偏斜度为-0.3以下,且所述顶端面的平均高度为0.06μm以上0.3μm以下,存在表面粗糙度不足,易磨损的问题。
CN108389806A公开了一种提高引线键合强度的劈刀,所述劈刀为焊接陶瓷劈刀,所述劈刀包括本体、位于本体一端的焊嘴和孔,所述孔沿所述本体的纵轴和所述焊嘴延伸,所述焊嘴的尖端表面由交替分布的凸出部分和凹陷部分组成,所述凸出部分的最高点和凹陷部分的最低点形成高度差,所述高度差为2-20μm,所述焊嘴的尖端表面的粗糙度Ra为0.5-3μm。该劈刀尖端表面的凸出部分为相互独立的点,不连成面,对于如此精细的陶瓷结构件来说,在劈刀使用过程中,凸出部分很容易崩缺断裂,进而影响劈刀的使用寿命。
CN101443885 B公开了一种具有改进的保护层的焊头,其包括主体部分,该主体部分终止于尖端部分。该尖端部分由一种材料形成,其中该材料的颗粒结构暴露于该尖端部分的至少一部分,有暴露颗粒结构的该尖端部分的该部分的表面具有若干微粒,该微粒的密度为至少15微米-2,及在具有若干微粒的该尖端部分的该部分处的表面粗糙度平均值为至少0.03微米,在使用铜线等比金线硬的焊丝的情况下,接合强度的降低或磨损容易导致劈刀的寿命降低。
由此可见,现有劈刀普遍存在着容易磨损,寿命短,表面粗糙度不足,不足以提高引线键合强度等问题,因此,有必要研发一种能够提高引线键合强度且具有较长使用寿命的焊接陶瓷劈刀。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足之处而提供一种焊接陶瓷劈刀。
为实现上述目的,本发明采取的技术方案如下:
一种焊接陶瓷劈刀,所述劈刀包括本体、位于本体一端的焊嘴和孔,所述孔沿本体的纵轴和焊嘴延伸,所述焊嘴的尖端表面由交替分布的凸出部分和凹陷部分组成,且所述凸出部分以焊嘴为几何中心呈正六边形阵列排布,所述凸出部分的最高点和凹陷部分的最低点形成高度差,所述高度差为5-20μm。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造