[发明专利]一种用于碳化硅器件的场限环结终端结构、其制作方法及碳化硅器件

权利要求书

1.一种用于碳化硅器件的场限环结终端结构，其特征在于，包括：

M个场限环，其中第1场限环环绕所述碳化硅器件的功能区，第m个场限环环绕第(m-1)个场限环；

其中第m个场限环的结深小于第(m-1)个场限环的结深，M、n为正整数，且2≤m≤M。

2.如权利要求1所述的场限环结终端结构，其特征在于，所述场限环为四面包围所述功能区、三面包围所述功能区或两面包围所述功能区。

3.如权利要求1所述的场限环结终端结构，其特征在于，

从所述第1场限环到所述第M场限环的结深从1μm逐渐降为0.1μm。

4.如权利要求1所述的场限环结终端结构，其特征在于，所述场限环之间彼此等间距或不等间距隔开。

5.如权利要求4所述的场限环结终端结构，其特征在于，所述间距为1μm～5μm。

6.一种用于碳化硅器件的场限环结终端结构的制作方法，其特征在于，包括：

环绕所述碳化硅器件的功能区形成M个场限环，其中第1场限环环绕所述功能区，第m个场限环环绕第(m-1)个场限环；

其中第m个场限环的结深小于第(m-1)个场限环的结深，M、n为正整数，且2≤m≤M。

7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述环绕所述碳化硅器件的功能区形成M个场限环包括：

在衬底中形成外延层；

在所述外延层中形成所述碳化硅器件的功能区；

在所述外延层表面形成光刻胶；

利用掩模版对所述光刻胶进行光刻，形成掩模层，其中所述掩膜版具有间隔排列的环形透光区和不透光区，其中透光区的透光孔的密度随离开所述掩模版中心的距离增大而减小；以及

利用所述掩模层进行离子注入，从而形成所述M个场限环。

8.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述离子注入包括：

在300～500℃温度下进行不同能量和剂量组合的Al离子注入，注入能量范围为：10～700KeV，注入剂量范围为1×10¹³～1×10¹⁵cm^-2；

在1500℃～1700℃温度范围内，氩气环境中进行10～30min的Al离子激活退火。

9.一种碳化硅器件，包括如权利要求1-5中任一项所述的场限环结终端结构。