[发明专利]一种IC类抛光片缺陷检验方法

说明书

本发明提供了一种IC类抛光片缺陷检验方法，包括COP缺陷检测和粗糙度检测；所述COP缺陷检测用于检测抛光片的COP缺陷；所述粗糙度检测用于检测抛光片表面的粗糙度。本发明所述的IC类抛光片缺陷检验方法完善了COP缺陷和粗糙度检验方法，使COP缺陷和粗糙度能够量化的去分析改善。

技术领域

本发明属于缺陷检测技术领域，尤其是涉及一种IC类抛光片缺陷检验方法。

背景技术

传统的抛光片的缺陷检验更多是指位错、层错和颗粒等表面检验，基于IC类产品要求，对于体缺陷和表面缺陷的要求更高，传统的检测方法检测项目单一，无法满足对IC类抛光片的检测要求。

发明内容

有鉴于此，本发明旨在提出一种IC类抛光片缺陷检验方法，以解决传统的检测方法检测项目单一，无法满足对IC类抛光片的检测要求的情况。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

一种IC类抛光片缺陷检验方法，包括COP缺陷检测和粗糙度检测；

所述COP缺陷检测用于检测抛光片的COP缺陷；

所述粗糙度检测用于检测抛光片表面的粗糙度。

进一步的，所述COP缺陷检测包括晶体部分检测,所述晶体部分检测的方法如下：

S1、晶体待测样品处理；晶体待测样品经过切片、磨片、腐蚀、抛光至抛光片；

S2、FPD测试；使用Secco溶液腐蚀晶体待测样品，观察FPD缺陷，检测是否存在COP缺陷；

S3、OISF测试；取部分抛光片在湿氧条件下进行高温处理，使用Wright Etching溶液腐蚀，然后在显微镜下观察缺陷环，确认COP缺陷分布范围；

S4、SP1测试；通过SP1颗粒扫描仪进行扫描测试，根据mapping分布进一步确认COP缺陷分布，根据测试结果判断COP粒径大小和数量。

进一步的，所述COP缺陷检测还包括晶片部分检测，晶片部分检测如下：

1)、取部分抛光片在湿氧条件下进行高温处理；

2)、使用HF去除背面氧化膜；

3)、通过晶体原生缺陷检测设备进行Cu坠饰；

4)、利用显微镜观察COP缺陷分布；

5)、利用SP1颗粒扫描仪进行扫描，根据mapping分布进一步确认COP缺陷分布，根据SP1测试结果判断COP缺陷的大小和数量。

进一步的，所述粗糙度测试包括：

步骤A、使用显微镜进行粗糙度测试，用于检测粗糙度值；

步骤B、使用颗粒扫描仪进行Haze测试，用于测试微粗糙度；

步骤C、通过粗糙度值、Haze值及Mapping图进行抛光片表面粗糙度分析及改善。

相对于现有技术，本发明所述的IC类抛光片缺陷检验方法具有以下优势：

本发明所述的IC类抛光片缺陷检验方法完善了COP缺陷和粗糙度检验方法，使COP缺陷和粗糙度能够量化的去分析改善。

附图说明

构成本发明的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明实施例所述的晶体部分检测中从左向右依次为为OISF、FPD和SP1检测结果示意图；