[发明专利]基于非辐射共振能量转移机制的白光LED及其制备方法在审
| 申请号： | 201910106242.1 | 申请日： | 2019-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN109841711A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 魏同波;赵捷;魏学成;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/22;H01L33/32;H01L33/50;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米孔 多量子阱结构层 共振能量转移 非掺杂GaN层 低温成核层 电子阻挡层 白光LED 非辐射 量子点 双波长 衬底 制备 纳米柱阵列 高显色 量子阱 纳米柱 微纳米 柱阵列 配比 光谱 填充 | ||
1.一种基于非辐射共振能量转移机制的白光LED，包括：
衬底；
低温成核层，位于所述衬底上；
非掺杂GaN层，位于所述低温成核层上；
N型掺杂GaN层，位于所述非掺杂GaN层上；
InGaN/GaN双波长多量子阱结构层，位于所述N型掺杂GaN层上；
AlGaN电子阻挡层，位于所述InGaN/GaN双波长多量子阱结构层上；
P-GaN层，位于所述AlGaN电子阻挡层上；
微/纳米孔阵列，包含n个微/纳米孔，所述微/纳米孔垂直贯穿所述P-GaN层、AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN双波长多量子阱结构层至部分N型掺杂GaN层；以及
混合量子点，填充于所述微/纳米孔之中。
2.一种基于非辐射共振能量转移机制的白光LED，包括：
衬底；
低温成核层，位于所述衬底上；
非掺杂GaN层，位于所述低温成核层上；
N型掺杂GaN层，位于所述非掺杂GaN层上；
InGaN/GaN双波长多量子阱结构层，位于所述N型掺杂GaN层上；
AlGaN电子阻挡层，位于所述InGaN/GaN双波长多量子阱结构层上；
P-GaN层，位于所述AlGaN电子阻挡层上；
微/纳米柱阵列，包含n个微/纳米柱，所述微/纳米柱由上至下包括P-GaN层、AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN双波长多量子阱结构层、以及部分N型掺杂GaN层；以及
混合量子点，填充于所述微/纳米柱阵列的间隙之间。
3.根据权利要求1或2所述的基于非辐射共振能量转移机制的白光LED，所述衬底的制备材料，包括：蓝宝石、碳化硅或硅中的任意一种。
4.根据权利要求1或2所述的基于非辐射共振能量转移机制的白光LED，所述低温成核层的厚度为5nm～200nm；所述非掺杂GaN层的厚度为0.2μm～10μm；所述N型掺杂GaN层的厚度为0.2μm～10μm。
5.根据权利要求1或2所述的基于非辐射共振能量转移机制的白光LED，所述InGaN/GaN双波长多量子阱结构层由下至上包括：蓝色量子阱；GaN阻挡层；以及绿色量子阱。
6.根据权利要求1或2所述的基于非辐射共振能量转移机制的白光LED，所述AlGaN电子阻挡层的厚度为10nm～250nm。
7.根据权利要求1或2所述的基于非辐射共振能量转移机制的白光LED，所述P-GaN层的厚度为10nm～250nm。
8.根据权利要求1或2所述的基于非辐射共振能量转移机制的白光LED，所述混合量子点，包括：红色量子点、黄色量子点以及绿色量子点。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910106242.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
